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1.
铁电存储器的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。 相似文献
3.
FM31XX是Ramtron公司最有竞争力的产品系列,包含4K-256K的铁电存储器,精度为+2.17PPM的RTC,低电压复位,看门狗复位和低电压检测,8个可以锁定的特殊存储和2个16位的频率高达10M的计数器。 相似文献
4.
FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
5.
6.
本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较,分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口,着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。 相似文献
7.
本文报导了通过溶胶-凝胶法制备Pb1-xCaxTiO3(x=0.1 ̄0.3)铁电陶瓷原料粉末,所得粉末具有较高的活性、纯度和均匀度。研究了不同掺CaO量对晶体结构和烧结温度的影响。在PCT晶相生成前未发现有烧绿石或其它过渡晶相的出现。使用该粉末通过1000 ̄1200℃的烧结过程,所得PTC陶瓷可达理论密度的88 ̄94%。 相似文献
8.
沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PZT(53/47)薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的电场下,疲劳循环直到4×108次时,最大极化强度仍有20.6μC/cm2,降低了约34%,其剩余极化强度保持为10μC/cm2左右。 相似文献
9.
10.
对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析。结果表明:通过多层薄膜合理的设计和厚度控制,可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现,制备多层较理想的溅射条件是衬底温度T=650℃,薄膜子层厚度约为300nm,衬底则以MgO(100)单晶、Si2(100)单晶为佳。结构分析的结果显示出:PZT以铁电膜中的晶粒排列整齐,颗粒大小均匀,基本上和衬底成定向织构,膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大, 相似文献