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81.
采用传统固相反应法制备Ba6-3x(La1-mBim)8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)微波介质陶瓷,研究Bi掺杂对Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结性能、微观结构以及介电性能的影响。结果表明:当0m0.4时,Bi3+取代A1位的La3+生成单相类钨青铜型固溶体;当Bi3+的掺杂量超过这个范围时,La0.176Bi0.824O1.5作为第二相出现在固溶体中;Bi3+的掺入使Ba6-3xLa8+2x(Ti0.95Zr0.05)18O54(x=2/3)陶瓷的烧结温度从1400℃降低到1300℃,同时,其介电常数大幅度提高,谐振频率温度系数减小,但品质因数急剧减小;当m=0.05时,1350℃下保温2h烧结获得的陶瓷具有微波介电性能,εr=88.63,Q·f=4395GHz,τf=6.25×10-6/℃。 相似文献
82.
以硝酸铋[Bi(NO)3·5H2O]和L-胱氨酸为反应原料,采用溶剂热法制备出Bi2S3纳米片状球和花状结构。L-胱氨酸(一种非常普遍和实用的氨基酸)作为硫源,在实验过程中不释放出刺激性气味(H2S)。利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所合成的产物的晶型结构、组成和表面形貌等进行了表征。结果表明:所合成的产物为典型的Bi2S3正交结构;在170°C条件下反应12h,以DMF为溶剂能够得到Bi2S3纳米片状球和花状结构。根据实验结果,对所合成Bi2S3的可能形成机理进行了简单探讨。 相似文献
83.
采用传统固相法制备了CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12–0.1K0.5Na0.5NbO3(BTO-KNN) 铋层状陶瓷材料。系统研究了CeO2掺杂对BTO-KNN基陶瓷物相结构、微观结构以及电性能的影响. 结果表明:所有陶瓷样品均为单一的铋层状结构;BTO-KNN基陶瓷的压电性能随着CeO2的掺杂而显著提高,损耗明显降低。当CeO2掺量为0.75 wt% 时,样品具有最佳的电性能: d33=28 pC/N,介电损耗tan δ=0.29%,机械品质因数Qm = 2897,剩余极化强度Pr = 11.83 μC/cm2,且居里温度 Tc 高达615 ℃;研究结果表明CeO2掺杂0.9Bi4Ti3O12–0.1K0.5Na0.5NbO3铋层状陶瓷是种潜在的高温陶瓷材料。 相似文献
84.
以Bi2O3为添加剂,采用粉末冶金法制备不同掺杂量的AgSnO2触头材料试样。测量Ag对氧化物基片的润湿角,测试了试样的密度、电导率、接触电阻、燃弧能量等参数,分析了 Bi2O3对AgSnO2触头材料润湿性的影响。结果表明,添加适量的Bi2O3对AgSnO2触头材料的物理和电接触性能有明显的改善,Bi2O3含量为1.5%时AgSnO2触头材料的整体性能达到最佳。润湿角随着Bi2O3含量增大呈现出波动增大的规律,与AgSnO2触头材料接触电阻、燃弧能量的变化规律基本吻合。 相似文献
85.
86.
采用传统的电子陶瓷制备工艺制备了一系列0.93Bi05Na05Tio3-0.07(Ba1-xAx)TiO3(简写为BNBAT100x;其中A=Ca,sr,x:0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)陶瓷,研究了陶瓷的结构、介电、压电性能变化特征.XBD分析表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体.陶瓷的介电、压电性能受Ca,Sr含量的影响显著.所有陶瓷样品表现出弥散相变特征.当x<0.08时,BNBCT陶瓷的介电常数大干BNBST陶瓷,同时,BNBCT陶瓷室温介电常数在x=0.04时达到最大.而BNBST陶瓷此时具有最小的室温介电常数.陶瓷的压电性能受Ca,Sr含量的显著影响,当Ca含量为6mol%时,压电常数(d33)和平面机电耦合(kp)达到最大,分别为1 40.5 pc/N和1 9.7%.而当Sr含量为4mol%时,BNBST陶瓷的压电常数(d13)达到最大为1 39.8pC/N.此时平面机电耦合(kp)为1 8.9%. 相似文献
87.
李国栋 《稀有金属材料与工程》2002,31(6):449-451
综述了磁性功能材料研究和应用在2000年-2001年间的新进展,其内容包括:(1)自旋电子学;(2)Bi-Fe氧化物的磁性;(3)稀有和稀土金属垂直磁记录材料;(4)新的多层膜磁性材料;(5)磁浮列车。 相似文献
88.
研究Bi Cu复合孕育对大断面可锻铸铁的形成和力学性能的影响 ;结果表明 ,制作大断面可锻铸铁 ,铋含量必须达到0 .0 3 % ;Cu含量达到 0 .3 0 %可明显缩短大断面可锻铸铁第一和第二阶段石墨化时间 ,并且可使组织细密 ,石墨形态好 相似文献
89.
Kyu-Seog Hwang Chi-Kyoon Kim Sang-Bok Kim Jeong-Tae Kwon Joo-Sang Lee Yeon-Hum Yun Yun-Ho Kim Bo-An Kang 《Surface & coatings technology》2002,150(2-3):177-181
Epitaxial and polycrystalline Bi4Ti3O12 thin films were prepared on single crystal (100) MgO substrates by a chemical solution deposition process using metal naphthenates as starting materials. Pyrolyzed films (at 500°C) were annealed for 30 min in air at 650, 700, 750 and 800°C, respectively. The effects of annealing temperature on the crystallinity, epitaxy and surface morphology of the films were investigated by X-ray diffraction θ-2θ scans, pole-figure analysis, and atomic force microscopy (AFM). Epitaxially grown films annealed at 700 and 750°C, respectively, showed growth of three-dimensional needle-shaped grains. During annealing at 800°C, grain growth of Bi4Ti3O12 may be suppressed by the formation of a titanium-rich phase such as Bi2Ti2O7 owing to Bi volatilization, resulting in lower root mean square roughness than that of film annealed at 750°C. 相似文献
90.
纳米TiO2-Bi2O3-La2O3复合材料的制备及光、电催化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以钛酸丁酯、硝酸铋、硝酸镧为主要原料,溶胶-凝胶法分别制备了TiO2、TiO2-Bi2O3、TiO2-La2O3和TiO2-Bi2O3-La2O3等催化剂。用XRD、TEM等方法对其进行了表征,晶型均为锐钛矿,粒径范围10~25 nm。以罗丹明B为目标降解物,分别考察了催化剂的光、电催化活性。结果表明,在紫外光照下,TiO2-Bi2O3-La2O3的光催化活性最高,60 min时罗丹明B的降解率达98.7%,较纯TiO2光催化活性提高了162%;以负载TiO2-Bi2O3-La2O3的多孔材料为粒子电极,采用三维电极法降解罗丹明B,20 min时的降解率达98.6%,较使用负载纯TiO2粒子电极提高了9%。 相似文献