亚微米ULSI无鸟喙封闭界面局部氧化技术

研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合结构的生产中;这种掩蔽结构,对垂直封闭以及在硅选择氧化期间通过掩模夹层边缘封闭氧化剂十分有效。为了在芯片制造过程中形成完全平坦的图形,生长了全开槽和半开槽的场氧化物。本文报道了一种适用于ULSI的无鸟喙LOCOS工艺。     

仪征化纤PTA中心回收副产氧气成功

仪征化纤PTA中心成功将氢氧站放空的氧气回收到氧化反应器中，有效地提高了资源利用效率，以及促进了对二甲苯富氧氧化技术的研究。 PTA中心制氢站现有5套制氢装置，为了实现公司能耗同比下降2％的节能目标，PTA中心加强了“废水、废气、废料”综合利用的攻关研究。从2005年开始，该中心就研究回收利用制氢站副产氧气的技术通过了青岛安工院的安全认证。     

稀土铝合金在草酸溶液中的阳极氧化及膜层性能的研究

在草酸溶液中对添加稀土的工业纯铝进行了阳极氧化,较系统地研究了电流密度、电解液浓度、温度、合金成份对氧化膜厚度的影响,并对膜层的物理性能、耐蚀性能进行了研究。结果表明:添加稀士后生成的氧化膜厚,膜层分布均匀、致密且具有较好的物理性能和耐腐蚀性能等,稀土铝合金中的稀土含量以0.20～0.29wt％为宜。     

Fe2O3—SrO—TeO2系半导体玻璃电导的研究

有准急压冷法制成Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）０≤ｆｅ２Ｏ３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ２〈１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流是导率为３．７２×１０＾－５－１．８２×１０＾－６Ｓ．ｃｍ＾－１。直流电导率随着Ｆｅ２Ｏ３含量的增加而增加。１６５℃时的     

硅对仰制涂层“氧化缺口”破坏的作用

本文对比了渗铝和铝－硅涂层的高温抗氧化性能，并用金相和电子探针分析技术研究了涂层的显微组织，从而揭示出硅抑制涂层“氧化缺口”破坏的机理在于：硅降低了铝的内扩散活性，使镍的外扩散活性相对提高，使合金最外表面形成很薄的表层，从而避免了ＭＣ碳化物的直接裸露；硅促进了ＭＣ－Ｍ５Ｃ的转化，生成富Ｓｉ的Ｍ６Ｃ，从而改善了涂层中碳化物自身的抗氧化性能。     

硫含量与煤自然发火危险性的关系

通过对全国１０个局矿各种煤样进行的升温氧化实验及ＳＯ_２产生、变化规律的分析。得出煤中硫含量低于２％时，不增加煤的自燃危险性；硫含量高于３％时，煤的自燃危险性增加的结论。