异步FIFO的设计与验证

多时钟域设计的一个难题是如何避免亚稳态的产生。异步FIFO是一种不同时钟域之间传递数据的常用方法。避免亚稳态问题及空满控制信号的产生是异步FIFO设计的两个难题。传统的异步FIFO设计采用同步读写地址后比较产生空满标志的方法,面积大、工作频率低。针对这些问题,文章提出了一种新的异步FIFO设计方案,它改进格雷编码电路,提高异步FIFO的工作频率,用先比较读写地址产生空满标志,再同步到相应时钟域的方法避免使用大量的同步寄存器,减小面积空间。EDA综合及FPGA验证的结果均表明,改进后异步FIFO的性能有了显著提高。     

亚稳态Fe-Cu固溶体合金的(Ms-电子/原子)曲线

用机械合金化(MA)锻压方法制备了bcc和fee结构的块状亚稳态Fe-Cu固溶体系统,并对系统的磁化强度、价电子结构进行了测量和计算,从亚稳态Fe-Cu固溶体的饱和磁化强度Ms-e／a(电子／原子)曲线可看出：大约在26．2e／a的区域Ms有最大值,并且在大约28．6e／a的区域接近零．这个结果与Fe-Co和Fe-Ni系统类似(在大约26．2e／a的区域Ms最大,在大约28．6e／a时Ms近似为零).由此我们推论：相对在0K亚稳态Fe-Cu固溶体的每原子的电子数字的饱和磁矩(Ms)曲线与其它二元过渡金属(Fe-Co和Fe-Ni)的曲线类似．在Cu含量大约为35mol％(此时平均电子结构为27．1e／a)时的混合相区域出现负的曲率．     

表面粗糙度对316L不锈钢亚稳态孔蚀行为的影响

用恒电位和动电位下的电流-时间记录法研究了表面粗糙度 对316不锈钢亚稳态孔蚀行为的影响.结果表明,表面粗糙度增大使亚稳孔的形核数明显增 加,亚稳孔电流峰值也有所增大,亚稳孔生长速度则略有下降.提出了一个表征表面沟槽“ 开放度”的参量w/d,w/d值越大则表面越平坦,亚稳态小孔越难于形核.一定的电位和溶 液条件下存在一个临界w/d值,只有w/d值低于此临界值的表面才能形成亚稳态小孔.随w/d 值增大,亚稳态孔蚀电位Em和稳定孔蚀电位Ep都逐渐正移.用w/d值定性解 释了表面粗糙度与亚稳态小孔形核速率、峰值电流和生长速度之间的关系.     

亚稳态奥氏体钢的形变硬化

研究了亚稳态奥氏体不锈钢的形变硬化,结果表明：低温下由于产生应变诱发马氏体相变,其拉伸曲线硬化阶段呈现Ｓ形,硬化指数ｎ为非恒定值,硬化率与硬化指数ｎ随应变量的增加表现为抛物物型。     

液体混合物理论极限过热温度

应用涨落理论讨论了物质亚稳态液汽相变的机理。在考虑液体混合物核化特点基础上 ,从统计热力学涨落理论出发 ,得到了确定液体混合物极限过热温度的一般关系式。借助 P- R状态方程并外推至亚稳态区域 ,用导出的公式对不同条件下的液体混合物系统极限过热温度进行计算 ,并与文献上的 2 60组实验数据进行了比较 ,结果吻合良好     

FPGA设计中跨时钟域的问题与方法

随着科学技术的发展,在FPGA设计中多时钟设计是一个经常遇到而且因为功能的需要无法避免问题。在不同时钟域之间传输数据或者控制信号,如果对其中出现的特殊情况估计不足,将会对设计造成灾难性的后果。因此,设计人员在设计电路时必须加入相应的同步机制,确保信号在跨时钟域传输时能够可靠进行。本文从触发器时序理论基础为出发点,分析研究数字化电路设计中跨时钟域传输信号时亚稳态现象产生的原因以及危害,然后分析和研究了解决跨时钟域传输过程中遇到的各种同步技术,分析和比较在不同场合的应用以及各自的优缺点。     

CO2跨临界循环膨胀特性及机理

介绍了采用膨胀机的CO2跨临界循环的系统流程及典型工况，详细分析了膨胀中经历的亚稳态过程的成因和机理，指出气化的滞后对系统的危害，并对相变膨胀过程中的成核现象进行了热力学分析，在此基础上，结合CO2超临界膨胀过程的特点，阐明了气液相变介质中声速的确定方法，认为CO2超临界膨胀过程可近似按照经典热力学的准静态理论进行分析。     

异步复位设计中的亚稳态问题及其解决方案

尽管异步复位是一种安全可靠复位电路的方法，但如果处理不当的话，异步复位释放可能会导致亚稳态（metastability）的问题。本文分析了这个问题产生的原因和后果，给出了一种可能的解决方案。在设计中加入复位同步器逻辑和复位分配缓冲树。这种方法综合了同步复位设计与异步复位设计的优点，解决了异步复位设计中的亚稳态问题。     

亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与卤代甲烷分子的传能反应

本文用流动余辉技术研究了亚稳态原子Ne(~3P_(0,2))与CH_3F、CHF_2Cl、CH_2I_2等分子的传能反应,获得了自由基碎片CH(A,B,C)、CH_2(b~1B_1)和CF_2(A~1B_1)的化学发光光谱,并初步探讨了反应机理。     

Al/CuO 纳米线阵列材料的制备及表征

对基于热氧化法的CuO纳米线阵列的生长进行了研究,考察了热氧化温度、时间、镀膜工艺和热退火等因素对纳米线生长的影响,得到了适合CuO纳米线生长的最佳条件,并推测了可能的生长规律和生长机理。此外,将PVD技术和硅基平面工艺相结合制备了Al/CuO纳米线含能阵列,并进行了表征和点火测试。