超级电容器集流体用铝箔交流腐蚀研究

对48微米铝箔集流体在50 Hz交流电腐蚀下进行正交试验的研究,包括因子盐酸、铝离子、硫酸及温度等条件,发现了取得比容的最佳条件是各个因素的相互作用.讨论了在低电量时,高浓度的盐酸更趋向于形成发孔密度大、孔洞大小均一的腐蚀孔,而失重效率反而低于2N盐酸,可能是因为高浓度盐酸在交流电解负半周的沉积膜保护作用而导致.SEM分析显示备我们所制备的样品表面形貌抛光图与日本进口集流体形貌极为相似.     

高铁动态交流干扰下管道钢的腐蚀行为试验研究

利用电化学测试、表面分析及失重分析技术,研究了模拟高铁动态交流干扰下管道钢的腐蚀行为和规律及阴极保护的有效性.结果 表明,动态交流干扰下,阴极保护电位向负方向偏移,交流干扰增大管道的阴极保护电流密度;动态交流干扰下,随干扰水平增加,管道钢腐蚀程度增加,点蚀坑明显加深.阴极保护明显减缓交流干扰试样的腐蚀程度,腐蚀速率降为...     

基于X70钢腐蚀检查片的交流腐蚀安全边界测试探析

以在国内6个城市埋设阴极保护腐蚀检查片开展现场测试为研究手段,结合部分室内腐蚀模拟试验结果,通过试片的阴极保护和干扰参数与腐蚀速率的关联性分析初步建立了交流干扰下埋地管道阴极保护安全边界,结论如下：交流干扰下试片的腐蚀速率随试片面积增大而减小;建立了基于极化电位的交流腐蚀安全边界：控制极化电位位于-0.85～-1.20 V(vs CSE)区间且交流电流密度小于30.0 A/m²或控制极化电位位于-0.95～-1.10 V(vs CSE)区间且交流电流密度小于100.0 A/m²;建立了基于直流电流密度的交流腐蚀安全边界：控制直流电流密度位于0.15～20.00 A/m²区间且交流电流密度小于30.0 A/m²或控制直流电流密度位于0.15～1.08 A/m²区间且交流电流密度小于100.0 A/m²;建立了基于pH值的交流腐蚀安全边界：控制pH值位于10.0～14.0区间且交流电流密度小于30.0 A/m²或控制pH值位于11.3～1...     

交流电对X70钢表面形态及电化学行为的影响

采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)、浸泡实验等方法研究了交流电流密度(0—100 A/m~2)对X70钢电化学行为的影响,采用OM和SEM观测了X70钢交流腐蚀产物及蚀坑形貌,探讨了交流电诱发金属腐蚀的机理.结果表明,在交流电影响下,X70钢的腐蚀电位向负向偏移,偏移量和腐蚀速率随着交流电流密度的增大而增大.低电流密度下,X70钢的EIS特征为容抗弧,没有出现明显的感抗特征及扩散特征,在低电流密度下X70钢表面发生了均匀腐蚀.当交流电流密度增大时,EIS低频区出现Warburg阻抗特征,表明试佯表面的腐蚀过程由扩散控制,局部腐蚀特征明显.交流电对金属极化作用产生重要影响,交流电正,负半周期内的极化效果不对称诱发了金属腐蚀.     

中性环境中X70钢的交流腐蚀行为

采用失重法研究了不同电流密度(0500A.m-2)下交流电对X70钢腐蚀行为的影响。结果表明,随着交流电流密度的增加,腐蚀速率呈幂函数规律增大。X70钢在不同电解液中的交流腐蚀形态有所不同。在SO42-存在且无其他侵蚀性离子的环境中,交流干扰诱发均匀腐蚀;而在Cl-存在环境时,交流电与Cl-的联合侵蚀作用将诱发点蚀。生成的腐蚀产物具有一定的保护性,且由于交流电的电解作用导致电解液电阻率发生改变,使得体系中加载的交流电流值呈指数衰减函数规律变化。     

腐蚀频率对铝电解电容器用低压铝箔性能的影响

采用变频腐蚀工艺以及正交实验法,制备了铝电解电容器用低压铝箔,研究了腐蚀电源频率对所制低压铝箔腐蚀形貌及性能的影响。结果表明:腐蚀孔径随着电源频率的升高而变小,腐蚀电压随着频率升高而降低;频率25Hz为最佳工艺条件,所得腐蚀样品耐压值为83.2V,比容达16.07×10-6F/cm2。     

埋地管道交流腐蚀的研究进展

综述了埋地管道交流腐蚀的研究现状,包括人们对交流腐蚀的认识过程,交流腐蚀的特征和机理,交流腐蚀风险的评价方法以及交流腐蚀的缓解措施.最后提出了埋地管道交流腐蚀有待解决的问题.     

邻近强电线路时埋地管道交流腐蚀的可能性评估

强电线路与埋地管道共用一个走廊时管道上不可避免地产生次生交流干扰。当这一交流干扰电流密度达到一定极限后便会造成管道的交流腐蚀,危及管道设备乃至人身的安全。提出了管道上交流腐蚀的条件及控制指标的新观点,并对管道交流腐蚀的可能性进行评估。     

铝箔交流扩面腐蚀中SO2-4缓蚀机理的研究

测试了高纯电子铝箔(以下简称铝箔)在2 mol/L HCl和2 mol/L HCl+0.5 mol/L H2SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线,用Daubechies2小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解,研究了SO2-4在铝箔交流扩面电蚀工程中的缓蚀机理.提出了铝箔在含Cl-溶液中点蚀时的氧空位侵蚀机理模型,该模型指出在一定的酸度条件下,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是Cl-与SO2-4发生特性吸附的原因;Cl-在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链;进入侵蚀膜内的SO2-4在强场作用下发生离解,离解出的O2-与侵蚀膜内的氧空位作用,致使氧空位湮灭,切断了Cl-在侵蚀膜内的传输途径,同时由于这种作用调整了Cl-在侵蚀膜内传输的网络结构,增加了蚀孔内新生蚀孔的萌生机率,从而在铝箔电蚀扩面腐蚀工程中起到了独特的缓蚀作用.