基于减小谐振腔样品孔的旋磁铁氧体高介电常数测试

改进了GB/T9633-2012《微波频率应用的旋磁材料性能测量方法》的测试方法,讨论了减小测试腔的样品插入孔对材料介电常数的影响,采用旋磁铁氧体和陶瓷材料作为测试样本。测试系统沿用谐振通过式,计算模式采用电磁微扰理论。测试结果证明,随着样品尺寸的减小,介电常数相比GB/T9633-2012测试方法的精度有一定的提高,更加接近材料的真实值。     

添加Nb_2O_5、CoO的BaTiO_3系介质陶瓷ε_r-t稳定原理

在研究添加少量Nb_2O_5、CoO的BaTiO_3基X7R介质陶瓷过程中,发现该系材料有富Nb和无Nb的“晶粒壳-晶粒芯”的显微结构。在此基础上,结合对Nb_2O_5添加作用的分析,探讨了该系统ε_r-t稳定的原理。并提出了该系统呈〔Ba(Ti_(1-x-y)Nb_xCo_y)O_3〕_i-BaTiO_3多相复合的介稳状态的看法。     

MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究

本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度，低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究，着重讨论了影响介电常数的因素，制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。     

低介电常数陶瓷复合基板材料

复合陶瓷材料具有较低的介电常数，可与Ｃｕ、Ａｇ导体共烧得到多层基板。这种基板适合于ＬＳＩ高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。     

同轴探头测量材料电磁参数变频率法的改进

本文针对我们实验室早期提出的用开口同轴探头变频率法同时测量雷达吸波材料的介电常数和磁导率技术^(6,7)在实用中遇到的问题,提出应用线性插值技术来修正电磁参数随频率的变化,使用拟合技术来克服测得反射系数的随机误差对电磁参数提取的影响,建立多频率点上电磁参数的矛盾方程方法来减少参数提取时所产生的伪根等改进技术,从而有效地克服原方法所存在的问题,使之能够用于实际测量。并通过对具体样品的测量证明了改进技术的合理性及有效性。     

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

随着45nm技术的临近，减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅，二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外，沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此，需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时，分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类，指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。     

新型电容式蒸汽湿度传感器结构设计

针对高温高压湿蒸汽的湿度测量难度大、准确度低的难点,根据蒸汽与水的介电常数差异较大的特点,利用电容法测量湿度的原理,设计了一种同轴式圆筒形电容式传感器,可实现蒸汽湿度的在线测量。利用集成定时器NE555芯片,设计了外部测量电路对湿度信号进行测量,测量电路将电容量的变化转换成频率值,通过输出频率来反映蒸汽湿度。经标定后,该传感器既可直接测量气体的湿度,又可测量固体的水分含量。     

测量糊状物质复介电常数的级联网络分解法

提出了测量糊状物质复介电常数的级联网络分解法。先采用标量检测矢量变换法测出三个网络的散射参数,再用两种分解计算法求得糊状物样品的散射参数,最后用奇偶模法求得复介电常数。文中给出了三种糊状物的测试结果及误差分析结果。文中提出的方法也可用于测试粉末状材料、薄板材以及材料的高温测试及低温测试。     

介电常数的概念研究

在设计电路、天线、电容器等过程中经常会涉及所用材料的介电常数,所以深入了解介电常数的相关概念对实际工作有重要意义。首先介绍了介质和导体、半导体的区别,然后解释了介电常数的基本概念,并给出相对介电常数的另一种导出定义。介质极化的微观模型这一部分讲清楚了4种不同的极化。最后介绍介电常数的一些宏观特性,得出电介质介电常数将会影响电介质中电场强度的结论。