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991.
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的AlGaInP及AlGaInP掺Si两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论(EMA)和线性内插法计算了样品中Al的组分,并与X射线微区分析法(能谱法)的测量结果加以比较,三者结果相符。 相似文献
992.
介绍了一种C波段反射型GaAs MESFET雷达介质稳频振荡器(RDRO),进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ansoft公司的Serenade7.0软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率f0=5.06GHz,输出功率8dBm,从室温到60℃范围内频率稳定度可达3ppm/C。 相似文献
993.
设计了基于介质高阻硅的超材料用于对太赫兹波的透射振幅和相位进行控制。这里组成超材料的基本结构单元为亚波长柱状硅,相比于基于金属的超材料,其损耗小,效率也更高。太赫兹入射到不同尺寸和旋向的柱状硅时,所透射的太赫兹波的振幅和相位也不同。通过设计不同空间位置处的柱状硅尺寸和旋向,就可以实现任意的振幅和相位分布,从而对透射波波前进行完全的控制。实验中,利用这种硅质微结构设计了三种不同的奇异光栅,其衍射级次和数目可任意控制。这种基于介质超材料的方法,设计简单,加工方便,在制作太赫兹波段低损耗的功能器件方面有着广泛的应用前景。 相似文献
994.
995.
电信设备生产商(TEM)在多业务(语音、视频和数据)融合和分布式设备生产上面临很大的挑战,这些设备包括数字用户线接入复用器(DSLAM)、光线路终端(OLT)和多服务接入节点(MSAN)等.尽管可以选择多种介质来实现不同的服务,但是每一种介质都需要不同类型的网络设备来处理所需要的接入协议、流量工程和吞吐量. 相似文献
996.
997.
998.
王利高峰张大帅王敏秦梦婕 《压电与声光》2016,38(6):892-896
采用传统的固相反应法制备(Sr_(0.9)Ba_(0.1))La_4Ti_4O_(15)+x%Nd_2O_3(质量分数0≤x≤8,BSN)系微波介质陶瓷,并对其物相组成、晶体结构及微波介电性能进行分析。研究结果表明,Nd_2O_3含量的增加降低了BSN陶瓷的烧结温度,陶瓷的主晶相为SrLa_4Ti_4O_(15)相,并伴随有少量第二相La_2TiO_5的生成。在微波频率下,随着Nd_2O_3含量的增加,BSN陶瓷的介电常数及谐振频率温度系数变化小,品质因数与频率之积(Q×f)值提高,优化出掺杂4%Nd_2O_3的(Sr_(0.9)Ba_(0.1))La_4Ti_4O_(15)陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=43.2,Q×f=42 015 GHz(6.024 GHz),τf=-9.6μ℃-1。 相似文献
999.
为了减少传统数值分析法由于厚度谐振而引起的结果错误问题,实现异向介质高分析精度与高效率的共存,建立基于反向传播多层前馈型神经网络(BP神经网络)的异向介质电磁特性与介质敏感结构参数之间的神经网络模型,对异向介质的基本结构进行分析。实验结果表明,采用量化共轭梯度法的分析时间为145.535648 s,训练均方误差为0.00020679,所得结果与全波分析相吻合,满足工程要求。有效地克服了再次预测过程中提取参数的不稳定性,为异向介质的分析提供一种快速而准确的方法。 相似文献
1000.
《电子元件与材料》2016,(10):53-57
为了减小滤波器的体积和提高阻带衰减,研究了直线型交叉耦合介质窄带滤波器。介质滤波器由三个TE_(01δ)介质谐振器和两根倾斜45°或135°的金属杆组成,中间谐振器与两端谐振器互相垂直,金属杆位于相邻谐振器之间。分析了两根平行金属杆和正交金属杆产生传输零点的工作原理,并用传输路途相位差的方法来判断零点产生的位置。用HFSS仿真软件详细讨论了谐振频率、耦合系数和外部Qe值与滤波器结构参数的关系,优化了滤波器的结构参数。采用相对介电常数为45的介质陶瓷制作了两个三级介质滤波器,滤波器的中心频率分别为3.76 GHz和3.74 GHz,3 d B带宽分别为50 MHz和64 MHz,插入衰耗分别为0.77 d B和0.51 d B,传输零点分别位于低端和高端,偏离中心频率大约100 MHz,其衰减大于63 d B,测试的各项性能均达到了设计要求。 相似文献