基于磁耦合共振传输技术的手机无线充电系统设计与研究

在社会经济与科技飞速进步的背景下,手机已经成为人们日常生活、工作中不可或缺的重要工具.无线充电系统能够较好地提升电能转化的效率,实现更加高效便捷的充电模式,应用磁耦合技术较好的摆脱充电线和充电接口的限制影响.文章系统性地介绍了磁耦合共振的工作原理和基本模型,结合手机无线充电的优势和现状,详细分析了该技术在充电系统中的设...     

介观压阻效应

为了突破传统机电转换 ,如压电、压阻及压容等效应的宏观物理局限 ,着手研究介观压阻效应。本文提出 ,通过四个物理过程来实现介观压阻效应。原理上讲 ,在力学信号作用下 ,纳米结构中的应力分布会发生变化 ;应力变化可引起内建电场的产生 ;内建电场将导致纳米结构中量子能态发生改变 ;量子能态改变会引起共振隧穿电流的变化。简述了国内外在上述四个过程方面所做的工作     

基于级联随机共振与APSO算法相结合的信号检测方法

针对随机共振方法以系统的参数和噪声强度的匹配为研究背景的局限性,为解决级联双稳系统参数的合理选取的问题及克服自适应随机共振单参数优化的不足之处,提出了一种基于级联随机共振与自适应粒子群(APSO)算法相结合的方法。该方法以系统的输出信噪比为优化目标函数,采用自适应粒子群算法较强的全局搜索能力和粒子(待优化参数)的多样性,对级联双稳态随机共振的级联系统参数进行同步优化,使系统处于最佳随机共振工作状态。仿真结果表明,该方法可以提高输出信噪比及算法的收敛速度,实现良好的检测效果。     

基于双D型光纤表面等离子共振折射率传感研究

以双D型光纤作为传输载体,研究了一种基于表面等离子共振技术的双D型光纤折射率传感器。利用时域有限差分法,分析了双D型光纤剩余包层厚度、金膜厚度、金膜表面粗糙度以及双通道传输对光纤SPR传感器性能的影响。仿真结果表明,当剩余包层厚度为300~500nm、覆盖的金膜厚度为50nm时,双D型光纤SPR传感器的性能得到优化;金膜表面粗糙度也是影响传感器性能的重要因素,当金膜表面粗糙度的均方根值低于2nm或其相关长度大于160nm时,金膜表面粗糙度对传感器性能的影响显著减小,且在折射率为1.33~1.36的传感环境下具有较好的线性度;在双D型光纤两侧覆不同的金属膜,可以实现信号的双通道测量。     

双波长共振全息CT测量燃烧场的理论研究

双波长共振全息干涉图信息提取靠条纹的移动和强度衰减的测量,而信息的准确获得需要建立极好的复折射率模型。本文介绍了经典理论模型,推导了量子理论的复折射率表达式,并由此通过测量条纹的移动和强度衰减程度,获得燃烧场的温度和组分浓度的信息。     

GaAs基RTD与MSM光电集成

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.     

电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量

如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。     

双色三光子共振电离测量钐原子高激发态4f~6s7S新能级

本文报道用双色三光子共振电离法测量钐原子高激发态78个新能级。这些新测定的偶宇称能级属于4f~66s7S电子构型,位于33477～37758cm~(-1)能量范围。     

氩缓冲气体对铯原子共振滤光器特性的影响

铯原子共振滤光器(Cs-ARF)是目前实现蓝绿激光水下通讯的一种关键元件。本文详细研究了不同气压氩缓冲气体对Cs-ARF特性的影响,明显改善了Cs-ARF的响应速率和辐射转换效率。还研究了氮气及不同器件结构对Cs-ARF特性的影响。