不同形貌Ti-O基纳米结构的可控制备与形成机制探讨

利用碱辅助水热法实现了Ti-O基纳米管、纳米带和纳米结构微球的合成,通过TEM、SEM等手段对所制备的纳米结构进行表征。当采用商品级锐钛矿TiO2为原料,热水处理温度为180℃、碱的浓度为10mol/L,热处理48h时可以得到Ti-O基纳米带。纳米带宽度为50~200nm,长度达到几十微米甚至一百多微米;产物产率高,质量好,结晶良好,表面洁净,无缺陷。当热处理温度为120℃时,可以得到Ti-O基纳米管,纳米管的长度为200~500nm,外径在20~50nm之间。当所用前驱体的粒径较小时,容易形成较细或者较窄的纳米带或者纳米线,当在选用前驱体的粒径较大时,可以生成纳米结构微球。     

耐高温涂层及其性能表征的研究进展

耐高温涂层在涡轮喷气发动机、高温轴承、高超声速飞行器的热防护以及切削刀具等领域具有广阔的应用背景,在技术创新层面,也具有很大的潜力和良好的发展前景。首先综述了现有耐高温涂层的研究进展,主要包括扩散涂层和覆盖涂层两大类和陶瓷涂层等七小类,并进行了分类讨论。在此基础上探讨了各种耐高温涂层的制备方法和技术手段,归类总结了耐高温涂层性能的主要表征方法,综述了耐高温涂层的耐高温及失效机理,最后展望了其发展的方向。随着相关研究的深入,耐高温涂层在耐温性、抗氧化性、蠕变性、抗冲蚀性等基本性能方面得到进一步提升,同时对其力学性能、鲁棒性能等方面又提出了更高要求。     

木材内部水分扩散机理及多尺度模型研究概述

木材在纤维饱和点(FSP)以下干燥时,内部水分主要是以扩散的形式迁移;水分扩散的主要动力是含水率梯度和温度梯度。不同尺度扩散模型的建立可以更好地描述干燥过程中水分的动态迁移。从水分扩散形式、扩散机理和不同尺度的扩散模型3个方面总结了木材干燥过程中水分扩散的研究进展,提出模型研究中存在的问题及相应措施,为扩散模型的建立和有效应用提供参考。     

承水压混凝土结构损伤机理与渗透特性研究综述

研究承水压混凝土结构的损伤与渗透问题有利于地下工程结构的安全运营,譬如山岭隧道、城市地下结构等。从构成材料损伤理论框架的三个主要方面(场变量的定义、损伤演化方程、本构行为关系)系统地阐述混凝土的损伤机理,并宏细观地分析了混凝土损伤的基本特性。分析了水压下的混凝土渗透行为特性,并针对渗透对混凝土结构的破坏机理进行阐述。剖析混凝土渗流与混凝土损伤之间的耦合机理,建立了渗流-损伤耦合模型。     

中高温光谱选择性吸收涂层的研究进展

太阳能是极其丰富的可再生能源,近年来,研究人员不断努力开发高吸收低发射、耐高温、持久耐候的高性能光谱选择性吸收涂层。本文主要介绍国内外科研工作者在中温和高温光谱选择性吸收涂层方面的研究工作和最新成果,并对其高温热稳定性及失效机理进行了探讨。     

不同形貌α-Fe2O3的水热法制备及性能研究

以Fe(NO_3)_3·9H_2O为原料,聚乙烯吡咯烷酮作为表面活性剂,NaOH、Na_2CO_3、CH_3COONa为形貌改变剂,采用水热法制备出不同形貌的α-Fe_2O_3,并研究了不同因素对产物形貌的影响。利用SEM、EDS、XRD、FTIR等手段对其物相及微观形貌进行表征,并探讨其生长机理。通过光催化降解酸性大红模拟废水考察不同形貌α-Fe_2O_3的光催化性能,实验结果表明,类桑葚状α-Fe_2O_3对酸性大红模拟废水的降解效果最好,降解率高达99.01%,具有潜在的光催化应用前景。     

团体标准协调机理研究:一个动态分析

从标准经济学属性上,团体标准是介于事实标准和正式标准之间的一类标准.如何协调好事实标准和正式标准之间的选择关系是团体标准微观层面高效的关键.本文基于"囚徒困境"经典双人博弈模型,构建三阶段协调博弈模型分析团体标准在演化过程中事实标准与正式标准的协调选择问题.研究表明,在已知未来正式标准(即团体标准)优于事实标准以及正式标准的绩效高于事实标准的前提下,低折现和参与者缺乏耐心能够促成尽早"合作".在此基础上,本文基于实际给出提高团体标准收益预期、加快标准版本更新速率和重视"小"企业等政策建议.     

生物质基SiC陶瓷制备的研究进展

传统工艺制备的碳化硅(SiC)陶瓷性能优异,应用前景广阔,但高温制备造成的成本增加限制了其进一步发展。相比之下,生物质因其自身丰富的孔隙结构成为低温制备SiC陶瓷的理想替代品。本文综述了生物质基SiC陶瓷的结构特性、制备方法、热解机理和影响因素,并探讨碳源和硅源预处理、热解工艺以及应用研究等在制备生物质基SiC陶瓷中存在的问题和发展趋势。     

含氢硅油制备SiC晶须的研究

以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须。主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程。影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高。石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象。SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理。     

等通道转角挤压制备超细晶材料的研究与发展

等通道转角挤压(Equal channel angular pressing,ECAP)是大塑性变形制备超细晶材料的方法之一,具有大晶粒尺寸的材料可以在室温下挤压达到超细晶尺度。从ECAP模具参数、工艺条件影响因素、模具及制备方法改进、细化机理、制备的超细晶材料组织稳定性及性能方面进行总结,并结合部分研究结果可知,ECAP模具正在不断被优化和改进,复合挤压技术不断出现,目前已实现超细晶材料的连续ECAP挤压制备技术。等通道转角挤压的晶粒细化主要是由于剪切力的作用和第二相粒子的作用,ECAP晶粒细化机理及组合工艺的研究是目前研究的热点。超细晶材料在不同领域的应用对其性能提出的更高要求,对其大塑性变形制备技术本身也是挑战。