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以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜 相似文献
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铜基镍镀层的化学退除 总被引:1,自引:0,他引:1
一、前言镀层的退除可以分为化学退除和电化学退除两大类。与电化学退除相比,化学退除具有操作方便、设备简单、节约时间、提高工效等优点。因此,本文就铜基镍镀层化学退除法作一讨论。本退除法具有如下特点: 1.既适用于铜基亦适用于铁基多层镀镍件。 相似文献
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