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亚铁氰化钾对以次磷酸钠为还原剂化学镀铜的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究亚铁氰化钾对化学镀铜沉积速度、镀层成分、电阻率、微观结构、表面形貌和化学镀铜过程中氧化还原反应的影响.添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,颜色也从棕黑色变为亮铜色,电阻率明显降低.添加亚铁氰化钾还可使镀层P含量略微降低,改善镀层微观结构,晶粒尺寸增大,镀层由(111)晶面择优取向变为(220)晶面择优取向.亚铁氰化钾主要通过吸附作用抑制在镀层表面发生的次磷酸钠氧化反应而降低化学镀铜沉积速度.亚铁氰化钾还可明显降低化学镀铜过程中NaH2PO2/CuSO4消耗摩尔比. 相似文献
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化学镀镀层孔隙率对电化学行为的影响及其量化评价 总被引:3,自引:0,他引:3
通过调整镀层厚度得到了具有不同孔隙率的Ni-P化学镀层。使用图形分析软件辅助贴滤纸法测得了镀层孔隙率,并研究了孔隙率对镀层电化学行为的影响,探讨了利用电化学测试对镀层孔隙率进行量化评价的方法。结果表明,图形分析软件可以提高贴滤纸法的准确性和可重复性,而电化学方法在测量镀层微小孔隙方面具有明显优势。极化曲线测试表明,孔隙率较小的镀层具有较高的腐蚀电位和较低的腐蚀电流密度,可根据所测曲线精确计算出镀层孔隙率。交流阻抗测试可进一步揭示孔隙率对镀层腐蚀机理的影响,存在孔隙的镀层其交流阻抗谱会表现双时间常数的特征,通过拟合所得电化学参数可以用来评价镀层孔隙率大小。 相似文献
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化学镀可焊性Sn-Pb合金的工艺研究 总被引:3,自引:0,他引:3
Sn-Pb合金镀层防腐蚀性好,熔点低,钎焊性好,在工业上应用很广。含Sn10%~40%的Sn-Pb合金镀层多用于电子元器件引线以提高其可焊性。工业生产常采用电镀工艺,对化学镀工艺研究较少。为此,介绍了一种烷基磺酸盐体系化学镀可焊性Sn-Pb合金(Sn:Pb为9:1左右)新工艺,系统研究了络合剂、还原剂、添加剂、时间、温度等因素对化学镀Sn-Pb合金沉积速率及镀层合金成分的影响。该化学镀液稳定性好、沉积速率可达到4.2μm/10min,镀层为银白色无光合金镀层,可焊性优良;当镀液中不添加Pb^2 时,该工艺也可用于化学镀Sn. 相似文献
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镀银羰基铁粉的制备及其性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用化学镀法,甲醛为还原剂,制备镀银羰基铁粉.用XRD,SEM和EDX对粉体进行表征.用重法测定粉体的抗氧化性能,并以镀银羰基铁粉制备电磁屏蔽材料,检测其在100kHz~1.5GHz的屏蔽效能.结果表明:用该法制备的镀银羰基铁粉能够实现表面银层包覆完整、致密;羰基铁粉镀银后的抗氧化性能得到明显提高;电磁屏蔽材料在100kHz~1.5GHz频率范围内获得优于-32dB的屏蔽效能. 相似文献
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采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备以MgO/Pd为底层的CoSiB/Pd多层膜样品,研究MgO底层厚度t对CoSiB/Pd多层膜垂直磁各向异性(perpendicular magnetic anisotropy,PMA)的影响,分析具有MgO/Pd底层的多层膜的热稳定性。通过对样品的反常霍尔效应的测试分析发现,底层中引入MgO层能够提高其PMA性能,当t为3.5 nm时,样品的矩形度最好。对最佳样品MgO(3.5 nm)/Pd(3 nm)/[CoSiB(0.5 nm)/Pd(0.8 nm)]2/Ta(2 nm)的磁滞回线进行测试,其有效磁各向异性常数K eff达到2.0×10^5 J/m^3。热稳定性分析发现,当退火温度为200℃时,样品的K eff达到最大值2.6×10^5 J/m^3;当退火温度达到400℃时,样品仍能保持良好的PMA性能。 相似文献
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应用密度泛函理论计算研究了邻甲酚在催化剂Fe(211)表面上的吸附活化行为和加氢脱氧反应性能.在此基础上,探究了过渡金属Pd掺杂以及表面水对Fe催化剂活性和产物选择性的影响.结果表明,邻甲酚通过苯环与催化剂表面发生吸附相比于通过羟基与表面相互作用更具能量优势,有利于活化苯环及CAr—O键.Fe(211)表面上邻甲酚脱羟... 相似文献
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研究了乙二醇在氧化物CeO2、NiO和Co3O4增强Pd/C催化剂上的碱性溶液中电化学氧化活性,结果显示虽然纯Pd/C催化剂对乙二醇的电化学氧化活性非常低以及抗催化剂毒化作用非常弱,其电化学性能远远比不上Pt/C催化剂。但添加氧化物CeO2、NiO和Co3O4后,Pd/C对乙二醇电化学氧化催化活性和抗毒化能力都得到大幅度提高,甚至超过商业催化剂E-TEKPt/C。三种氧化物增强Pd/C催化剂的电化学活性顺序为Pd-Co3O4(质量比为2︰1,以下同)/C>Pd-NiO(4︰1)/C>Pd-CeO2(1.3︰1)/C。 相似文献