Impact of Transition-Metal Contamination on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Under Rapid Thermal Processing

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.     

300 mm单晶硅生长过程中直径的功率控制方法

直拉法硅单晶生长过程微缺陷的形成和长大遵循Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度,G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论.在G由热场设计和液面位置决定的前提下,单晶硅生长过程中品体提升速度的精确控制是生长无空洞型原生微缺陷大尺寸单晶硅的关键.为控制品体的提升速度处于无原生微缺陷单晶硅生长所需的范围内,同时获得±1...     

单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响

分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40 kHz)的PECVD沉积SiNx,薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.     

太阳能电池制绒设备研究的几点心得

着重对太阳能电池制绒工艺的研究进行了阐述,并以研究所得的工艺数据为基础,对制绒设备的关键部件——工艺槽体的设计进行了详细说明,保证所研发的最终设备满足了大规模生产线对制绒设备的需要。     

离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米     

扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响

研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64 V,5.58 A,0.755和17.3%。     

重掺砷单晶硅制备中砷的蒸发速率常数的测定

在采用柴式(Czochralski, CZ)法生长重掺砷(As)单晶硅的过程中,掺杂剂——As具有较强的蒸发性。 为了有效抑制As蒸发对单晶硅电阻率的影响,需要测定As的蒸发速率常数。通过实验测量 给出了晶体样块中As浓度随蒸发时间的变化曲线,然后对实验曲线进行了线性回归分析,得到了 重掺As单晶硅制备中As的蒸发速率常数(1.43×10-4 cm/s)。该结果在实际应用中被验证是正确而有 效的,这对精确控制重掺As单晶硅的电阻率有着重要意义。     

炭/炭复合材料制造硅晶体生长坩埚初探

多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(MCZ)拉制成单晶硅棒。晶体生长炉热场零件中的石墨发热体、坩埚等在机械应力和热应力的综合作用下发生变形或损坏造成失效,更换频繁。选用纯度高的炭纤维制成待制件的多孔坯体,经过增密、纯化处理制成炭／炭复合材料坩埚。试制的两体12″炭／炭复合材料坩埚进行了工业性试验。炭／炭复合材料机械强度高、耐热冲击性能和化学稳定性好,其使用寿命大大高于高纯石墨坩埚。两体的连接止口的氧化侵蚀限制了坩埚的使用寿命。单晶硅设备的大型化、炭／炭复合材料势必成为晶体生长炉热场零件的必选材料。     

单晶硅电池制绒工艺研究

单晶硅金字塔绒面结构的形成受制绒碱液浓度、添加剂、制绒温度、制绒时间等因素的影响。本实验在不影响车间生产工艺的前提下,从单晶制绒工艺的粗抛时间和碱制绒时间上进行调整,以此获得不同的减薄量,并获得最终的电学性能。通过实验,单晶硅粗抛时间在达到去除损伤层的基础上要尽量缩短,碱制绒时间的选择要兼顾单晶硅电池的制绒反射率、最终电学性能和转换效率等因素的影响。     

关于单晶硅拉制吊渣工艺的研究

单晶硅由于其钻石般完美的结构,及高效的光伏转换效率,在整个光伏行业的发展中,占据着越来越重要的位置。单晶硅是由多晶硅熔化并在特定的气氛、精准的温度、合理的热场中拉制而成。硅汤中的杂质直接影响单晶硅的稳定生长。通过对提渣工艺的研究与应用来提取出硅汤的杂质,进而对单晶硅的拉制起到积极的作用。