多孔硅电学特性研究

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P 型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.     

新能源材料

大股东垫资 江苏阳光多晶硅项目提速;拓日新能30亿投建光伏产业园;1000t单晶硅项目在万州开工建设;赛维LDK问鼎全球硅片龙头;茂迪公司在昆山高新区布局太阳能电池生产基地;金太阳：Si基薄膜太阳能电池光转化效率将达7％;     

一太阳能电池效率“瓶颈”被攻克

日前,国内30多家单晶硅供应商聚会无锡,参加新型单晶硅棒提拉技术推广会议。令与会代表惊讶的是,尚德电力与常州美晶太阳能材料有限公司合作,用高纯镓代替硼,成功完成了高光电转换率、无衰减太阳电池硅单晶的研制,攻克了光致衰减这一提高单晶硅太阳能电池转换效率的瓶颈问题。     

日本2008年半导体用硅材料供需预测

日本新金属协会硅分会预测,2008年日本半导体用高纯单晶硅需求为10100t,比2007年增加8％。该预测基于半导体产业的稳定增长和300mm硅片的快速发展。其中,日本国内需求4250t,比2007年增加2％。出口5850t,同比增加13％,出口占总需求的58％。     

12英寸硅片所占比例大幅上升

日本新金属协会硅分会预测,2008年日本国内单晶硅产量将从2007年的8288t增加至9400t,增长率为13．4％。在电脑、手机和薄型电视等数码家电需求的推动下,世界半导体市场将增长至32兆日元,硅片向12英寸大尺寸方向的发展速度将进一步加快。     

邢台市单晶硅产量连续5年世界第一

11月11日,记者从有关方面获悉,目前,邢台市在太阳能单晶硅、硅片、动力电池三个方面都取得了突飞猛进的发展。其中,太阳能单晶硅产量连续5年稳居世界第一位。     

单晶硅表面金字塔微结构反射特性的研究

通过对化学腐蚀法制备的单晶硅表面微结构进行分析,建立了一种金字塔微结构的数学模型,采用时域有限差分法(FDTD)数值计算了波长在300～1 000 nm范围内微结构表面反射率随波长的变化规律,并将计算结果与实验测量结果进行了比较、分析和解释.在此基础上,针对不同实验条件下所形成的金字塔微结构差异,数值计算了几种不同参数金字塔结构表面的反射率随波长的变化规律.研究表明,反射率随金字塔的占空比和倾角的增大而减小,而金字塔尺寸变化对反射率的影响较小.当金字塔的结构参数为底边长2 μm、占空比1、倾角约60°时减反效果较好,平均反射率仅为6.28％.     

单晶硅微结构表面的制备及其减反射性能北大核心

利用聚苯乙烯胶体微球组装的单层胶体晶体阵列作为掩模板,分别采用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀工艺在晶体硅表面构造出不同形态的微纳米结构,并研究不同刻蚀方法和不同刻蚀时间对微结构形态的影响作用。利用分光光度计测试得到微结构表面的反射光谱曲线。结果表明,在0.35-1.1μm太阳光有效吸收波段,单晶硅材料微结构表面的反射率显著降低,由于此时材料的透射率为零,材料在该波段的吸收得到有效增强。同时,具有规则微结构表面的减反射性能比无序微结构表面的减反射性能要更好一些。这为增强单晶硅对太阳能的有效吸收提供了一种简单可行的方法。     

硅基光纤温度传感器研究

基于单晶硅折射率随温度变化的热光效应,研究了一种硅基双波长光纤温度传感器.理论分析了单晶硅膜温度传感的机理,通过计算得到了硅膜厚度与温度测量范围之间的关系.运用双波长信号处理方法对传感器反射光强度进行分析并解调出所测量的温度.实验结果表明,在测温范围25～45℃内,当传感器测温波长为1 534.3 nm、1 554.3 nm时,该传感器对温度的响应具有良好的线性,其线性拟合度达0.989 8.该温度传感器的研究对设计制作温度补偿型的硅基压力或其它物理量的测量传感器具有一定的参考价值.     

河北宁晋成为单晶硅生产基地

河北宁晋单晶硅高科技园区拥有单晶硅炉达到136台，成为世界上规模最大的太阳能单晶硅生产基地。该基地以大直径低氧碳太阳能单晶硅成果为载体，形成以单晶硅拉制为中心，拥有选料、石英坩埚、石墨件等产业链的高科技产业园区，