日本2008年半导体用硅材料供需预测

日本新金属协会硅分会预测,2008年日本半导体用高纯单晶硅需求为10100t,比2007年增加8％。该预测基于半导体产业的稳定增长和300mm硅片的快速发展。其中,日本国内需求4250t,比2007年增加2％。出口5850t,同比增加13％,出口占总需求的58％。     

12英寸硅片所占比例大幅上升

日本新金属协会硅分会预测,2008年日本国内单晶硅产量将从2007年的8288t增加至9400t,增长率为13．4％。在电脑、手机和薄型电视等数码家电需求的推动下,世界半导体市场将增长至32兆日元,硅片向12英寸大尺寸方向的发展速度将进一步加快。     

邢台市单晶硅产量连续5年世界第一

11月11日,记者从有关方面获悉,目前,邢台市在太阳能单晶硅、硅片、动力电池三个方面都取得了突飞猛进的发展。其中,太阳能单晶硅产量连续5年稳居世界第一位。     

单晶硅表面金字塔微结构反射特性的研究

通过对化学腐蚀法制备的单晶硅表面微结构进行分析,建立了一种金字塔微结构的数学模型,采用时域有限差分法(FDTD)数值计算了波长在300～1 000 nm范围内微结构表面反射率随波长的变化规律,并将计算结果与实验测量结果进行了比较、分析和解释.在此基础上,针对不同实验条件下所形成的金字塔微结构差异,数值计算了几种不同参数金字塔结构表面的反射率随波长的变化规律.研究表明,反射率随金字塔的占空比和倾角的增大而减小,而金字塔尺寸变化对反射率的影响较小.当金字塔的结构参数为底边长2 μm、占空比1、倾角约60°时减反效果较好,平均反射率仅为6.28％.     

单晶硅微结构表面的制备及其减反射性能北大核心

利用聚苯乙烯胶体微球组装的单层胶体晶体阵列作为掩模板,分别采用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀工艺在晶体硅表面构造出不同形态的微纳米结构,并研究不同刻蚀方法和不同刻蚀时间对微结构形态的影响作用。利用分光光度计测试得到微结构表面的反射光谱曲线。结果表明,在0.35-1.1μm太阳光有效吸收波段,单晶硅材料微结构表面的反射率显著降低,由于此时材料的透射率为零,材料在该波段的吸收得到有效增强。同时,具有规则微结构表面的减反射性能比无序微结构表面的减反射性能要更好一些。这为增强单晶硅对太阳能的有效吸收提供了一种简单可行的方法。     

硅基光纤温度传感器研究

基于单晶硅折射率随温度变化的热光效应,研究了一种硅基双波长光纤温度传感器.理论分析了单晶硅膜温度传感的机理,通过计算得到了硅膜厚度与温度测量范围之间的关系.运用双波长信号处理方法对传感器反射光强度进行分析并解调出所测量的温度.实验结果表明,在测温范围25～45℃内,当传感器测温波长为1 534.3 nm、1 554.3 nm时,该传感器对温度的响应具有良好的线性,其线性拟合度达0.989 8.该温度传感器的研究对设计制作温度补偿型的硅基压力或其它物理量的测量传感器具有一定的参考价值.     

河北宁晋成为单晶硅生产基地

河北宁晋单晶硅高科技园区拥有单晶硅炉达到136台，成为世界上规模最大的太阳能单晶硅生产基地。该基地以大直径低氧碳太阳能单晶硅成果为载体，形成以单晶硅拉制为中心，拥有选料、石英坩埚、石墨件等产业链的高科技产业园区，     

磁流变动压复合抛光基本原理及力学特性

目的探究磁流变动压复合抛光基本原理及抛光力学特性。方法通过建立磁流变动压复合抛光过程中流体动压数学模型,分析抛光盘面结构化单元对抛光力学特性的影响规律,并优化其结构。搭建磁流变动压复合抛光测力系统,探究工作间隙、抛光盘转速、工件盘转速和凸轮转速对抛光力的影响规律,基于正交试验,优化抛光效果。结果抛光盘面结构化单元的楔形区利于流体动压效应的产生,且流体动压随楔形角和工作间隙的增大而减少,随楔形区宽度的增大而增大。结构化单元较为合理的几何参数为:楔形角3°~5°,工作间隙0.2~1.0 mm,楔形区宽度15~30 mm。法向力Fn随工作间隙的增大而减小,随工件盘转速的增大而增大,随抛光盘和凸轮转速的增大而先增大后减小;剪切力Ft随工作间隙的增大而减小,随工件盘、抛光盘和凸轮转速的增大均呈现先增大后减小的规律。通过正交试验获得优化工艺参数为:抛光盘转速60 r/min,工件盘转速600 r/min,凸轮转速150 r/min。在羰基铁粉(粒径3μm、质量分数35%)、SiC磨料(粒径3μm、质量分数5%)、工作间隙0.4 mm和磁感应强度0.1 T工况下,抛光2 in单晶硅基片4 h后,表面粗糙度Ra由20.11 nm降至2.36 nm,材料去除率为5.1 mg/h,初始大尺度纹理被显著去除。结论磁流变动压复合抛光通过在抛光盘面增设结构化单元,以引入流体动压效应,强化了抛光力学特性,并利用径向往复运动的动态磁场实现柔性抛光头的更新和整形,最终达到了提高抛光效率和质量的目的。     

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ～5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.     

硅酸钠在太阳能电池单晶硅表面织构化的作用

在单晶硅太阳电池的制备过程中,通常利用晶体硅[100]和[111]不同晶向在碱溶液中各向异性腐蚀特性,在表面形成类似于“金字塔”的绒面结构,使得入射光在硅片表面多次反射,提高入射光吸收效率,可提高单晶硅太阳电池的转换效率。实验探索了一种廉价的硅织构化腐蚀技术,即单独采用Na2SiO3代替传统的氢氧化钠和异丙醇溶液,以减少价格较高的异丙醇的用量,降低成本。不采用异丙醇或其他机械消泡的条件下,用质量分数为5％的Na2SiO3溶液在80℃腐蚀120min,单晶硅片表面可获得最佳反射率为12．56％的减反射绒面。虽然与传统的氢氧化钠和异丙醇溶液效果相比,单独使用Na2SiO3溶液腐蚀单晶硅片表面的反射率和均匀性略差,但在传统的氢氧化钠和异丙醇体系中加入质量分数为0．1％的Na2SiO3也会促进腐蚀反应的进行,获得更加均匀的减反射绒面。