我国成功实现太阳能冶炼高纯硅

世界上第一根太阳能冶炼的单晶硅日前由中国科技大学、中科院物理所陈应天等专家制成。中科院院士何祚庥认为，这是我国光伏发电技术领域的一项重大创新，使高效廉价冶炼高纯硅成为现实。     

锗掺杂磁控直拉单晶硅太阳电池

介绍了锗掺杂浓度为（1～1.5) E19cm-3的10Ω·cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR (back surface field and reflection）和BSR(back surface reflection)太阳电池的制备和电性能. BSR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率最高为12.3%. BSFR锗掺杂单晶硅太阳电池的AM0效率达到15%. 利用1MeV的高能电子对制备的锗掺杂单晶硅太阳电池进行了辐照实验. 作为对比，对全部常规10Ω·cm的CZ单晶硅太阳电池也进行了实验. 结果表明，锗掺杂浓度为（1～1.5)E19cm-3的磁控直拉单晶硅太阳电池的电性能和抗辐照性能与常规直拉硅太阳电池基本相同. 利用锗掺杂磁控直拉单晶硅片机械强度较高的优点，可以降低太阳电池生产过程破损率.     

Preparation and Tribological Investigation of Rare Earth Nanofilm on Single-Crystal Silicon Substrate

The self-assembled silicon substrate. The resultant contact angle meter and atomic method was introduced to successfully obtain film was characterized by means of X-ray rare earth（RE） nanofilm on a single-crystal photoelectron spectroscopy （XPS）, ellipsometer, force microscopy （AFM）. The scratch experiment was performed for interfacial adhesion measurement of the RE film. The friction and wear behavior of RE nanofilm was examined on a DF-PM reciprocating friction and wear tester. The results indicate the RE nanofilm is of low coefficient of friction （COF） and high wear resistance. These desirable characteristics of RE nanofilm together with its nanometer thickness, strong bonding to the substrate and low surface energy make it a promising choice as a solid lubricant film in micro electromechanical system （MEMS） devices.     

MEMS Inductor Consisting of Suspended Thick Crystalline Silicon Spiral with Copper Surface Coating

报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合-深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的硅螺线,在硅螺线表面镀有高保形厚铜镀层,在铜镀层表面镀有起钝化保护作用的薄镍镀层.该电感的自谐振频率超过15GHz,在11.3GHz下,品质因子达到约40,电感值超过5nH.基于该电感的简化等效电路模型,采用一种特征函数法进行了参数提取,模拟结果与测量结果符合得很好.     

我攻克太阳能单晶硅切割技术瓶颈

作为国家“863”攻坚课题的太阳能切割和12英寸单晶硅抛光技术与设备，在上海日进机床有限公司开发研制成功，并通过日本专家的检测，其各项指标己超过现有的传统标准。     

烛光也能给手机充电吗

近日,恒基伟业推出光能手机"昶",其翻盖外表全部被太阳能电 池覆盖,可随时为手机锂电池充电.由于该光能手机采用的单晶硅对光线灵敏度较高,因此只要有光线照射,太阳能电池即可实现自动充电.     

掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.     

贝加莱系统在太阳能晶硅生产系统中的应用

作为绿色能源,风力发电和光伏在过去的数年里产生了飞跃,在过去的几年里,中国投资数千亿于光伏产业的发展,各地快速的建立了各自的光伏产业园区,光伏产业包括原材料、晶硅与薄膜电池生产系统、电池组件生产、逆变器与光伏电站的建设等均快     

BIPV——阳光新政

170年前，法国科学家贝克雷尔发现了“光伏效应”； 55年前，美国贝尔实验室首次研制成功单晶硅太阳能电池；     

半导体硅材料的进展与发展趋势

本文叙述了近年来国际国内半导体材料的发展状况及未来的发展方向，同时叙述了半导体工业对硅材料的要求，并提出了我国发展硅材料的建议。