单晶硅的电化学钝化

常温下,用电化学氧化法在单晶硅表面形成 SiO_2钝化膜,钝化液可为有机溶液或纯水,控制电压能调节钝化膜厚度。测试并比较了钝化膜的基本性能。     

在单晶硅中批量加工横向移动结构

在横向样品方向生产出自由移动的单元将会对硅微机械结构的革命产生巨大影响.这种横向移动结构允许旋转和滑动,可以在传感器和执行器中应用.而这些应用到目前为止,由于现存工艺性能和成本的限制是不能达到的.     

不同厚度样品的表面光洁度对光声信号的影响

采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,研究了不同厚度的单晶硅表面光洁度变化对光声信号的影响。结果表明,样品越薄,随着样品表面光洁度变差,光声信号增加得越迅速。     

离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米     

剪切增稠抛光磨料液的制备及其抛光特性

为了实现对工件的剪切增稠抛光(STP),采用机械混合与超声波分散法制备了一种Al2O3基STP磨料液,并研究了它们的抛光特性。利用应力控制流变仪考察其流变性能,通过扫描电镜和光学轮廓仪研究了单晶硅加工后表面显微组织的变化,并测量其表面粗糙度。结果表明:STP磨料液具有剪切变稀和可逆的剪切增稠特性,达到临界剪切速率后,会形成Al2O3"粒子簇";当剪切速率增大至1000s-1,储能模量,耗能模量和耗散因子都增至最大值,此时主要表现为类似固体的弹性行为,有利于形成类似"柔性固着磨具"。在STP加工单晶硅过程中,采用塑性去除的材料去除方式。随着抛光时间的延长,硅片去除速率先增大后减小;表面粗糙度不断减小并趋于稳定。实验显示,磨粒浓度不宜过高,否则会因剪切增稠效应造成黏度过大,导致流动性差而影响抛光质量。当Al2O3质量分数为23%时,抛光25min后,硅片表面粗糙度Ra由422.62nm降至2.46nm,去除速率达0.88μm/min,表明其能实现单晶硅片的高效精密抛光。     

单晶硅与太阳能光伏产业

煤、石油和天然气的开采压力不断增加,将致使这些能源在未来数百年内消耗殆尽。太阳能的利用前景最好,潜力最大。以硅材料的应用开发形成的产业链条称之为光伏产业,光伏产业正日益成为国际上继IT、微电子产业之后又一爆炸式发展的行业。     

青海两个单晶硅产业化项目科技攻关取得突破

青海省“123”科技支撑工程项目“太阳能级单晶硅及晶片产业化”和“500吨多晶硅铸锭产业化工程”两个项目分别攻克适应高原气候的生产方法和多晶硅切割工艺技术,为太阳能光伏产业发展提供了技术支撑。     

台湾太阳能电池生产商拥护单晶硅PERC技术

为了保持其太阳能电池效率领先中国大陆竞争对手,并且在蓬勃发展的日本市场获得更多业务,台湾太阳能电池生产商正在提高单晶硅PERC电池产量。     

海外单晶硅太阳电池生产线建设的分析与研究

近些年,中国光伏产业进入存量市场的激烈竞争局面。海外光伏产业链建设需求庞大,应充分利用好自身优势,把握好“走出去”做大增量市场的机会。在分析海外光伏市场发展现状的基础上,对PERC、TOPCon、p型IBC、HJT单晶硅太阳电池技术的投资成本进行了拆解,并对采用这4种太阳电池技术路线的海外生产线的建设成本和设备投资回报进行对比;然后通过海外实际项目案例,对海外以PERC和TOPCon单晶硅太阳电池技术为代表的生产线建设情况进行了研究分析。分析结果显示：当前阶段,PERC单晶硅太阳电池生产线预留升级p型IBC单晶硅太阳电池技术和TOPCon单晶硅太阳电池技术是目前最适合在海外投资建厂的技术。