选择性外延隔离P^＋多晶硅栅PMOSFET

在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。     

用SPV法对影响硅片少子寿命因素的研究

随着IC工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素。     

高通量工程试验堆堆内单晶硅旋转体温度测量

本文论述了高通量工程试验堆堆内单晶硅旋转体温度测量装置,介绍了在反应堆各种功率下单晶硅辐照样品温度的测量结果,并且根据温度测量值估算了单晶硅的 γ 发热率,进行了误差分析,同时作者还进行了单晶硅温度与轴流泵转速关系的试验.测量结果表明,在高通量堆首炉工况下单晶硅辐照装置内部冷却水不会沸腾.     

中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响

用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的离中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。     

高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术

“叉指式微加速度计”的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,采用原有CMP工艺很难将其去除．不能在高浓度硼扩散层上制作更好的“叉指式微加速度计”结构。针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,通过改进双面粘片工艺．选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响．优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,获得表面无划道、无麻坑、无桔皮的高浓度硼扩散硅片。表面粗糙度20A,达到“叉指式微加速度计”工艺用片指标。     

单晶硅放电蚀除机理研究及有限元分析

提出了单晶硅电火花加工蚀除机理假设,认为热应力在放电蚀除过程中起主要作用。建立了单晶硅电火花线切割放电模型,利用有限元法模拟了在单脉冲放电条件下单晶硅的温度场及热应力场分布。分别计算了单晶硅在温度场和热应力场作用下的蚀除量,并与实际放电切割蚀除量进行了对比,结果表明,实际蚀除量近似等于模拟得到的温度场与热应力场蚀除量之和,验证了对单晶硅电火花加工蚀除机理所作假设的正确性。     

Si(100)在NaOH/NH4F/Na2CO3体系中的绒面制备

用NaOH/NH4F/Na2CO3溶液体系对单晶硅(100)进行了表面织构.结果发现腐蚀所得表面沟壑纵横,沟壑间是类似金字塔的小凸起.在优化条件下,平均反射率低且不随腐蚀时间的延长而增大,可重复性好,是比较理想的碱腐蚀液.