既有老旧房屋砂浆及砌体强度现场试验研究

以南京城区20世纪80年代至90年代既有老旧砌体房屋为研究对象,采用贯入法和筒压法对常规条件下墙体砌筑砂浆强度进行现场检测,结合两种方法的特点对比分析检测结果的差异。结果表明,对既有老旧房屋,同一构件筒压法现场检测砂浆强度要大于贯入法检测强度值,其比值在1.0～4.0之间的分布概率为83%。基于砌筑砂浆与砌体强度换算关系对两种方法得到的砂浆强度进行换算,结合相应墙体构件原位轴压法试验结果,对两种方法换算砌体强度与原位轴压法砌体强度关系进行对比分析,结果表明,原位轴压法测得的砌体强度与贯入法换算砌体强度比值在0.75～1.5之间的分布概率为92%,与筒压法换算砌体强度比值在0.6～1.4之间的分布概率为93%。试验结果对城区既有老旧房屋安全性鉴定提供了一定的判断依据。     

高分子材料导热性能影响因素研究进展

介绍了高分子材料导热性能影响因素研究进展，重点阐释了聚合物基体的结构特性（链结构、分子间相互作用、取向、结晶度等）、导热填料（种类、含量、形态、尺寸等）以及制备方法等对高分子材料导热性能的影响。     

储能界的一颗新星——M Xene材料

<正>2012年,二维晶体MXenes(过渡金属的碳化物和氮化物)首次引起研究人员的关注。该材料因具有导电性强、扩散系数低,且单层原子薄片结构的稳定性等性能,可满足高性能电池制备材料的要求。现在,MXenes被赋予更高的期望,因为研究人员发现该类材料具有较好的柔韧性、较高的电容,而且可以容易地制备其复合材料和模压材料。新的发现表明MXenes同样可应用于柔性和可穿戴电子设备,这一特性吸引了越来越多的关注。一些研究人员于2014年12月聚集在波士顿举行的美国材料学会年会上,交流     

柠檬酸铋合成新工艺研究

针对现有柠檬酸铋制备工艺合成时间长、能耗高、产品纯度不高等不足,介绍了一种常温下制备柠檬酸铋的新工艺。新工艺制备时间短,制备的柠檬酸铋产品质量好,合成过程产生的废水可循环利用,废气经碱液循环吸收可生产硝酸钠副产品。     

无害化水溶性氨基酸叶面肥的制备工艺研究

利用无害化处理畜禽制得的氨基酸为原料,制备水溶性氨基酸叶面肥,通过优化中和、脱色、除臭、螯合等工艺条件,叶面肥符合NY1429-2010要求。     

靶面激光光斑尺寸原位测量的研究

提供了一种简便易行的靶面激光光斑尺寸原位测量的方法。从高斯光束的横向光强分布特性出发,建立了激光烧蚀斑半径与辐照激光能量、光斑尺寸、烧蚀阈值间的关系式,模拟分析发现辐照激光光斑尺寸对烧蚀斑半径随辐照能量变化曲线有较大影响。对于脉宽为2 ms,波长为1064 nm的激光,实验测量了不同能量激光辐照下相纸烧蚀斑半径,并用推导出的关系式拟合测量数据,获得了靶面处光斑尺寸和样品烧蚀阈值。同时,也测量了不同位置处的光斑尺寸和样品烧蚀阈值,对高斯光束束腰位置和样品烧蚀阈值的光斑尺寸效应进行了验证。研究结果表明该技术结果可靠,简单高效。该技术可以为高能激光与固体物质相互作用的基础研究和激光加工等应用领域中实现简单方便地测量靶面光斑尺寸提供帮助。     

一种用于建筑3D打印的橡胶粉超高延性砂浆及制备

正由同济大学申请的专利(公布号CN 111807790A,公布日期2020-10-23)"一种用于建筑3D打印的橡胶粉超高延性砂浆及制备",涉及的砂浆材料配方为:水泥400～800,硅灰100～200,粉煤灰400～800,砂80～400,胶粉20～120,减水剂1～4,水300～390,聚乙烯纤维10～20。与现有技术相比,本发明通过配方的优化设计,进一步提升了3D打印胶粉砂浆材料的超高延性和高耗能能力,从而实现无筋的建筑3D打印。     

高导电石墨烯的化学制备及其性能研究

基于三种还原剂,葡萄糖、氢碘酸和水合肼分别制备了石墨烯,研究了还原剂对石墨烯性能的影响。结果表明,使用葡萄糖作为还原剂得到的石墨烯样品还原程度最好;通过电阻率测试发现,氢碘酸还原制得的石墨烯电阻率最小(1.8Ω·m),导电性最好;通过充放电测试发现,水合肼还原制得的石墨烯储能性能最好,在制备储能电池方面具有广泛的应用前景。     

道路用聚氨酯改性沥青的制备工艺探讨

结合不同改性剂掺量单因素试验,确定了采用88mm叶轮、115mm容器、圆盘锯齿式搅拌器(转速1400r/min)、175℃共混温度、改性剂掺量4.27%、单次搅拌300g的制备工艺参数。在此条件下制备的聚氨酯改性沥青具有优异的水稳定性、储存稳定性且耐老化、耐高温,拥有比普通聚合物改性沥青更高的车辙因子G*/sinδ和15℃动态模量,基本满足高模量沥青要求。     

基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术

为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4％,11.3％,10.4％和11.6％.