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21.
红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。 相似文献
22.
集成式HgCdTe红外双色探测器列阵 总被引:3,自引:4,他引:3
首次报道了集成中波 1/中波 2 (MW1/MW2 )的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能 .采用分子束外延 (MBE)技术 ,生长了p p P N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料 .通过B+ 注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺 ,得到了 80元的原理型HgCdTe红外双色探测器 .纵向上背靠背的 2个光电二极管分别有电极输出 ,确保了空间上同步和时间上同时的探测 ,并能独立地选择最佳工作偏压 .它适于常规的背照射工作方式 ,且有大的空间填充因子 .在液氮温度下 ,2个波段的光电二极管截止波长λc 分别为 3.0 4 μm和 5 .74 μm ,对应的R0 A值为 3.85× 10 5Ωcm2 和 3.0 2× 10 2 Ωcm2 .测得MW1、MW2的峰值探测率Dλp 分别为 1.5 7× 10 11cmHz1/2 /W和 5 .6 3×10 10 cmHz1/2 /W .得到 2个波段的光谱响应 ,且MW2光电二极管的光谱串音为 0 .4 6 % ,MW1光电二极管的光谱串音为 6 .34% . 相似文献
23.
24.
从图像获得不受光照和几何条件影响的颜色特性描述是实现颜色恒常性的关键,利用双色反射模型和有限线性模型,提取归一化偏差本体反射率特征,被实验证明是实现颜色恒常性的有效途径,在本文中,我们详细阐述了归一化偏差本体反射率特征的性质,其计算应用的前提条件,并在彩色图像分割及颜色检测中,运用归一化偏差本体反射率特征获得了很好的效果。 相似文献
25.
对采用玫瑰线图形扫描的红外搜索与跟踪系统的技术参数选取以及作用距离计算等问题,进行了系统的研究。提出了有效的计算方法和专用程序,并作了必要的评述与分析,全文以一具体的实验系统,对方法和过程作进一步的论述。 相似文献
26.
采用高温固相法成功制备出了一系列LED用白色 荧光粉NaGd1-x-y(MoO4)2:xDy3+,yTm 3+,用X射线衍射仪(XRD),荧光分光光度计和紫外-可见-近红外光谱分析系统对样 品的物相结构和发光性能进行了表征。结果显示制备的荧光粉的白光由Dy3+的特征黄光发 射(575 nm)、特征蓝光发射(488 nm)与Tm 3+的特征蓝光发射(459 nm)组合而成。制备的 NaGd(MoO4)2基质为四方晶系即白钨矿结构。在上述荧光粉中,激活离子Dy3+ 发射4F9/2-6H13/2 跃迁的黄光(575 nm)和4F9/2-6H15/2跃迁的蓝光(488 nm),激活离子Tm3+发射1D2-3F4的蓝光 (459nm)跃迁,蓝光发射受晶体场的影响被劈为两个发 射峰。该系列荧光粉在389nm波长激 发下,当Dy3+浓度为10%,Tm3+浓度为12%时样品色坐标(0. 326,0.326)最接近标 准白 光(0.33),当Dy3+浓度为8% ,Tm3+浓度为12%时样品发光强度达到 最大,色坐标为(0.377,0.369),结果表明,该系列荧光粉有潜在的发展和应用前景 。 相似文献
27.
28.
一种基于多传感器多级信息融合的红外目标检测方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对远距离低信噪比条件下目标检测难的实际问题,该文提出一种基于多传感器多级信息融合的目标检测方法。该算法包括两个部分:特征级融合和决策级融合。在特征级融合阶段,首先提取双波段红外图像的各个特征图像;然后,采用自适应加权方法对所得到的特征图像进行融合,得到目标判决置信图;最后根据置信度最大规则对置信图进行目标位置搜索,得到各级目标判决结果。在决策级融合阶段,对各级目标判决结果采用组合逻辑进行融合,得到系统的目标检测输出。实验结果显示了该算法的有效性。 相似文献
29.
彩色等离子体显示器用荧光粉 总被引:5,自引:1,他引:5
本文阐述了荧光粉的发光特性对彩色等离子体显示器(PDP)性能影响。介绍了荧光粉激发光谱和相对发光效率的测试方法,并对常用真空紫外荧光粉的发光特性进行了比较。最后分析说明了荧光粉的涂覆面积、厚度、颗粒度大小等因素对PDP亮度和光效的影响。 相似文献
30.
大功率白光LED封装技术对器件寿命的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过功率LED器件封装工艺技术的改进来降低芯片结温,从而减缓器件光衰速率,延长其预期的工作寿命时间。对用于封装的关键原材料的选取进行了对比实验,指出了采用纳米级材料改进导热可降低热阻,论述了正确选用混胶材料和工艺,可以减缓器件光衰速率,达到在较高的环境温度条件下,器件使用寿命大于50 000 h。论述了器件芯片的结温对光、电、色性能的影响和不同结温其预期工作寿命时间也不同的关联性。 相似文献