首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   79387篇
  免费   5027篇
  国内免费   5124篇
电工技术   9796篇
技术理论   2篇
综合类   5234篇
化学工业   11184篇
金属工艺   4781篇
机械仪表   5998篇
建筑科学   4236篇
矿业工程   2087篇
能源动力   1946篇
轻工业   4317篇
水利工程   1126篇
石油天然气   2137篇
武器工业   661篇
无线电   15142篇
一般工业技术   12227篇
冶金工业   2184篇
原子能技术   937篇
自动化技术   5543篇
  2024年   763篇
  2023年   2351篇
  2022年   2844篇
  2021年   2760篇
  2020年   2218篇
  2019年   2303篇
  2018年   1226篇
  2017年   1826篇
  2016年   1935篇
  2015年   2461篇
  2014年   4565篇
  2013年   3721篇
  2012年   4604篇
  2011年   4561篇
  2010年   4232篇
  2009年   4526篇
  2008年   4868篇
  2007年   4348篇
  2006年   3967篇
  2005年   3728篇
  2004年   3419篇
  2003年   3004篇
  2002年   2471篇
  2001年   2248篇
  2000年   1955篇
  1999年   1537篇
  1998年   1490篇
  1997年   1414篇
  1996年   1257篇
  1995年   1255篇
  1994年   1121篇
  1993年   897篇
  1992年   893篇
  1991年   918篇
  1990年   801篇
  1989年   761篇
  1988年   89篇
  1987年   66篇
  1986年   39篇
  1985年   27篇
  1984年   17篇
  1983年   17篇
  1982年   12篇
  1981年   11篇
  1980年   6篇
  1975年   1篇
  1960年   1篇
  1959年   1篇
  1949年   1篇
  1948年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
52.
谷郁 《数码摄影》2004,(2):41-41
自从朝华推出魔音系列MP3播放器以来,每次发布一个新品,其品质就会踏上一个台阶。神舟是魔音系列的最新产品,其做工与性能是目前所有魔音系列产品中最优秀的。圆柱状的朝华魔音神舟MP3播放器,会像胶棒一样粘住你的耳朵。  相似文献   
53.
直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
54.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器   总被引:5,自引:2,他引:3  
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。  相似文献   
55.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
56.
57.
首先介绍了本地传输网所承载的业务,然后介绍了本地传输网的现状,接着概括总结了本地传输网目前存在的问题,最后提出了调整和优化思路。  相似文献   
58.
59.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
60.
隔河岩水电站大坝廊道排水控制系统存在设备备品、备件不足,技术落后,系统软件工作不稳定等问题,不能按库坝管理要求对排水量进行监控,严重影响廊道排水系统的可靠性。为此,对该系统进行了综合自动化改造,采用TCP6IP通讯,PLC直接上网,异种CPU热备冗余等技术,提高了整个系统的运行可靠性,满足了“无人值班”的要求。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号