表面效应对压电纳米梁弯曲行为的影响

基于Euler-Bernouli模型,分析了表面效应对压电纳米梁弯曲行为的影响。基于表面弹性理论和核壳模型,采用表面能模型引入表面效应的影响。通过最小势能原理建立起包含表面效应及压电效应的压电纳米梁弯曲行为的控制方程和边界条件。讨论了表面效应对氧化锌悬臂梁结构的压电纳米梁弯曲变形及其产生的感应电荷的影响。结果表明,表面效应使得压电纳米梁的弯曲变形变小,感应电荷量减少。这些结论对设计、校正和测量压电纳米梁及其为基础的纳米器件具有重要的指导意义。     

一种点云配准新方法在隧道变形监测中的应用研究

由于地铁隧道在施工过程中存在通视条件差、施工线路长等问题,采用三维激光扫面仪进行变形监测具有较高的测量精度和极高的数据采集效率。但传统的点云数据拼接方法采用的是相邻两站点云数据进行两两拼接,化归到同一坐标系中。然而对于隧道采集到的多站数据而言,误差将不断累积,导致精度降低。文章通过对地铁隧道点云拼接方法进行研究,提出一种点云配准新方法。经实验表明,采用该方法进行点云数据拼接,其精度得到明显提高。     

面天线结构动态误差对指向精度的影响

对影响系统指向精度的结构因素做了分析,给出了圆抛物面天线结构动态误差对波束方向影响的计算方法,完善了系统指向精度的计算方法。以50m口径射电望远镜为例做了计算,计算结果为望远镜的结构设计提供了指导。     

不同SOC区间及倍率下锂电池老化分析

选择合适的荷电状态(State of Charge,SOC)区间及放电倍率可有效减缓锂电池的老化.将可大倍率放电的钴酸锂电池作为研究对象,将其SOC划分为四个区间,结合三个不同的放电倍率进行双因素老化实验.结果表明,相同放电深度(Depth of Discharge,DOD)情况下,SOC区间越高电池老化越快;释放的容...     

音乐盛宴——Meridian全数码高清音响体验之旅

音色清澈、精准无误、时尚简洁的人性化设计是Meridian一贯坚持的设计理念。凭借尖端科技．Meridian慕求将失真率降至最低．重现清澈纯净的音乐。以更丰富．更细腻的信息处理．     

阵列天线背架制造过程质量控制分析

简述了阵列天线结构形式,分析了阵列天线背架装配、焊接及机械加工过程可能产生的变形,提出了合理的装配、焊接及机械加工工艺质量控制方案,使桁架结构的天线背架加工后的数百个槽的平面度控制在不大于0．25mm,满足天线背架设计要求。     

聚吡咯衍生物的合成及其三阶非线性光学性能

以吡咯为原料,通过逐步分子设计合成了聚3 丁酰基吡咯(PBPY)和聚[(3 丁酰基吡咯 2,5 二)对二甲氨基苯甲烯](PBPDMABE)。通过氢核磁(1 H NMR)、傅里叶 红外(FT IR)、和紫外 可见(UV Vis)光谱对反应中间体和目标产物的结构进行了详细表征。对 PBPY和 PBPDMABE粉末进行了 I掺杂处理,采用四探针法对本征态和掺杂后的聚合物电导率进行了测量,测试结果表明,经过 I掺杂处理后PBPY和PBPDMABE具有较高的电导率,分别为1.3×10-1 S/cm和3.8×10-6 S/cm。根据光学禁带宽度与入射光子能量的关系,计算了PBPY和PBPDMABE薄膜的光学禁带宽度,分别为 2.06 eV和1.79 eV。利用后向简并四波混频(DFWM)技术测量了 2 种聚合物薄膜的三阶非线性极化率。结果表明,在波长为532 nm的激光作用下,PBPY和PBPDMABE的三阶非线性极化率分别为8.75×10-10 esu和4.65×10-8 esu。     

JUMP认证计费系统概述及行业应用

1．背景 随着宽带网技术的迅猛发展,互联网应用已经深入到人们的各种日常活动中,然而网络阻塞、IP盗用、非法登录以及访问非法站点等现象时有发生,极大地影响了合法用户的正常使用,也一直困扰着网络管理、维护人员;因此可靠性、安全性已经成为网络接人中的首要问题。捷普认证计费系统具有高效的数据吞吐率、可靠的安全性、强大的访问控制功能;     

机场场面监视雷达

机场场面监视雷达airport surface detection radar空中交通管制中用来监视跑道、停机坪上飞机和车辆活动情况用的雷达。它能使管制员全面了解和掌握机场场面上各类目标的分布和活动情况。要求雷达分辨率高，天线转速快，确保高的数据率，且能判别各种运动目标类型。     

具有负反馈的分段曲率校正CMOS带隙基准源

提出了一种新型带有负反馈的分段曲率校正带隙电压基准源,该基准源的主要特色是利用温度相关的电阻比技术获得一个分段曲率校正电流,校正了一阶带隙基准源的非线性温度特性. 该分段线性电流产生电路还形成了一个负反馈,以改善带隙基准源的电源抑制和线性调整率. 测试结果表明：在2.6V电源电压下,该基准源在没有采用校正的条件下,在-50~125℃温度范围内实现了最大21.2ppm/℃温度系数,电源抑制比为-60dB. 在2.6~5.6V电源电压下的线性调整率为0.8mV/V. 采用中芯国际（SMIC) 0.35μm 5V n阱数字CMOS工艺成功实现,有效芯片面积0.04mm2,其总功耗为0.18mW. 该基准源应用于3, 5V兼容的光纤接收跨阻放大器.