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以六甲基二硅胺烷(HMDS)作为硅源和碳源,H2为载气,Ar为稀释气体,前驱体由载气通过鼓泡法带入反应室,通过等温化学气相渗透法(Isothermal Chemical vapor Infiltration,ICVI)在SiC纤维表面沉积SiC涂层.通过控制沉积温度来控制涂层的表面形貌、厚度.研究表明,在1100℃沉积的涂层中开始有β-SiC晶相析出,适当降低沉积温度至950℃可以防止残余碳在反应室的富集,在950℃时SiC的沉积厚度与沉积时间呈近线性关系. 相似文献
986.
987.
过冷熔体中球晶组织的形成规律 总被引:2,自引:0,他引:2
研究LSPSF工艺条件下Al-20%(质量分数)Cu合金的初生α(Al)的形貌演变,结合微观组织模拟技术和M-S界面形态稳定性理论,分析过冷熔体中球晶组织快速形成的基本规律。结果表明:合金熔体中自由晶数目和浆料冷却速度共同决定初生固相的尺寸和形态;最早(凝固发生3s内)观察到的初生α(A1)呈细小球形,并在整个演变过程中始终保持球形不变,没有枝晶组织出现;晶粒周围溶质扩散层的叠加可明显降低固-液界面前沿的浓度梯度,提高固-液界面的稳定性;均匀化晶粒周围溶质分布,抑制晶粒的择优生长,促进初生α(A1)保持球形;由溶质扩散层的叠加和界面能引起的抑制和粗化效应可促使失稳的等轴晶粗化成球晶。 相似文献
988.
989.
为研究固溶处理对微弧等离子增材制造Inconel 625构件力学性能的影响,本文采用在950℃、1050℃、1150℃和1250℃条件下对增材制造INCONEL 625合金薄壁构件试样进行了固溶处理。研究表明,随着固溶温度升高晶粒回溶程度不断增大,生长取向变得杂乱;位错密度逐渐降低且分布位置集中在晶界区域;析出物逐渐减小,出现回溶过程。随温度升高,结构内部的固溶强化使抗拉强度得到提升,但应变强化减弱导致屈服强度降低,同时Laves相对位错滑移的阻碍作用减弱使薄壁构件的延伸率得到提升。经测试,屈服强度、抗拉强度及延伸率在1150℃固溶处理后达到最优,固溶处理后薄壁结构抗腐蚀能力得到明显提升。这为微弧等离子增材制造INCONEL 625薄壁构件力学性能优化提供了支撑。 相似文献
990.
铜冶炼烟气酸洗液经D296阴离子交换树脂吸附后,再依次采用氨水解吸Sb,NaOH和酒石酸混合溶液解吸Bi,NH4SCN溶液解吸Re,实现Re/Sb/Bi的分步解吸并获得铼富集液。结果表明:酸洗液电位对Re、Sb、Bi吸附率没有明显影响,适宜的酸洗液H2SO4浓度为43.81 g·L-1,Re、Sb、Bi吸附率分别为100%、6.55%和89.05%;D296树脂吸附Re的穿透容量和饱和容量分别为1.308和1.773 g·L-1,且树脂利用率为73.77%;先采用12.5%氨水解吸Sb,16%NaOH+140 g·L-1酒石酸混合溶液解吸Bi,通过添加酒石酸可有效抑制Bi水解,再采用10%NH4SCN溶液解吸Re,得到铼富集液,其Cu、As、Sb、Bi浓度均降至1 mg·L-1以下,且使酸洗液中Re富集了4倍。 相似文献