刻蚀铜薄膜的新技术

日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即20μm。采用此技术可将TFT-LCD电视更轻量化，并降低了成本。     

Organic Electroluminescent Thin Film Using 8—hydroxyquinoline Zinc as Emitting Layer

Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured.     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

热物理性质测试技术研究现状和发展趋势

本文在对热物理性质研究在热能工程、材料科学、信息科学、航天工程、环境工程、生物科学、微电子技术和计量学等众多科技领域中的重要性进行探讨的基础上，评述了热物理性质测试技术的研究现状和发展趋势。鉴于薄膜材料在微电子器件、集成电路和微电子机械系统等领域中日益广泛的应用，本文还综述了亚微米－纳米尺度薄膜材料热导率和热扩散率的测试新技术。     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。     

盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响

用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理，并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射（XRD）进行了分析，吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰，峰值位于820nm附近，此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带（Q带）加宽进入红外波段，光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化，其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加，而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小，说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明，经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰，表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。     

高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。