全文获取类型
收费全文 | 38087篇 |
免费 | 1459篇 |
国内免费 | 2906篇 |
专业分类
电工技术 | 1787篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 2115篇 |
化学工业 | 7810篇 |
金属工艺 | 3404篇 |
机械仪表 | 1751篇 |
建筑科学 | 768篇 |
矿业工程 | 280篇 |
能源动力 | 654篇 |
轻工业 | 2051篇 |
水利工程 | 166篇 |
石油天然气 | 508篇 |
武器工业 | 231篇 |
无线电 | 8047篇 |
一般工业技术 | 10579篇 |
冶金工业 | 902篇 |
原子能技术 | 465篇 |
自动化技术 | 932篇 |
出版年
2024年 | 221篇 |
2023年 | 674篇 |
2022年 | 800篇 |
2021年 | 895篇 |
2020年 | 584篇 |
2019年 | 708篇 |
2018年 | 413篇 |
2017年 | 617篇 |
2016年 | 646篇 |
2015年 | 835篇 |
2014年 | 1803篇 |
2013年 | 1451篇 |
2012年 | 2014篇 |
2011年 | 1991篇 |
2010年 | 1838篇 |
2009年 | 2245篇 |
2008年 | 2573篇 |
2007年 | 2334篇 |
2006年 | 2236篇 |
2005年 | 2122篇 |
2004年 | 1994篇 |
2003年 | 1594篇 |
2002年 | 1390篇 |
2001年 | 1289篇 |
2000年 | 1159篇 |
1999年 | 941篇 |
1998年 | 980篇 |
1997年 | 874篇 |
1996年 | 838篇 |
1995年 | 818篇 |
1994年 | 701篇 |
1993年 | 614篇 |
1992年 | 585篇 |
1991年 | 624篇 |
1990年 | 505篇 |
1989年 | 458篇 |
1988年 | 26篇 |
1987年 | 27篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 3篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
62.
近年来,随着建筑物不断高层化的广泛使用玻璃幕墙及环境污染 增加,建筑的玻璃的清洁变成了十分耗时而又危险的工作。因此,利用锐钛矿型纳米TiO2具有催化活性高,化学稳定性好,价格低廉,使用安全及制备的薄膜透明等特点,将TiO2基薄膜与玻璃相结合,在不损失TiO2光经活性的前提下,可使玻璃自身有消除污染的功能,免除高层建筑擦洗玻璃的苦恼,已成为国内外众多厂家竞相开发的产品。 相似文献
63.
摩擦强度对薄膜表面形态的作用:原子力显微镜下的观察 总被引:2,自引:2,他引:0
展示了摩擦强度对聚酰亚胺薄膜表面形态的影响,原子力显微图像显示,机械摩擦会使聚酰亚胺薄膜表面上形成微沟槽,这些沟槽的表面具有丰富的表面精细构造。原子显微图像还揭示了机械摩擦可以改变被磨擦聚酰亚胺膜的表面形态。 相似文献
64.
65.
NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。 相似文献
66.
研究了用光漂白的方法制备PMMA/DR1聚合物非线性定向耦合器,提出了一种容易的制备方法来得到要求的耦合长度.测量了材料的光学非线性对定向耦合器两臂透过率的影响.实验结果表明由于光学非线性,耦合器的耦合长度随着入射光强度的改变而发生变化. 相似文献
67.
采用现代高频功率变换技术的有源功率因数校正(Power Factor Corrector,PFC)技术是解决高频开关变换器谐波污染的有效手段。与传统的PFC电路相比,有源PFC电路的输入电流接近正弦波且与输与电压同相位,能有效抑制电流波形畸变和谐波,因此避免了对同一电网设施的干扰。在PFC电路中,Boost变换器是研究和应用得最多的一种变换器。本文着重分析了Boost电路在不连续导电模式状态下,PFC电路的临界条件,对实际电路结构的设计有很好的指导意义。 相似文献
68.
69.
以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜 相似文献
70.