全文获取类型
收费全文 | 728篇 |
免费 | 18篇 |
国内免费 | 42篇 |
专业分类
电工技术 | 70篇 |
综合类 | 16篇 |
化学工业 | 66篇 |
金属工艺 | 41篇 |
机械仪表 | 66篇 |
建筑科学 | 13篇 |
矿业工程 | 5篇 |
能源动力 | 51篇 |
轻工业 | 11篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 16篇 |
武器工业 | 6篇 |
无线电 | 278篇 |
一般工业技术 | 41篇 |
冶金工业 | 15篇 |
原子能技术 | 4篇 |
自动化技术 | 88篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 24篇 |
2014年 | 84篇 |
2013年 | 28篇 |
2012年 | 47篇 |
2011年 | 53篇 |
2010年 | 43篇 |
2009年 | 79篇 |
2008年 | 76篇 |
2007年 | 45篇 |
2006年 | 61篇 |
2005年 | 59篇 |
2004年 | 24篇 |
2003年 | 20篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 13篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
排序方式: 共有788条查询结果,搜索用时 31 毫秒
31.
32.
Vigo系统公司推出一种型号为PCI-2TE-13的、适用于傅里叶变换红外光谱学的光电探测器。这种探测器的响应光谱带宽为1μm-13μm,具有一个较宽的谱线 相似文献
33.
红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。 相似文献
34.
35.
美国专利US7313909 (2008年1月1日授权)本发明提供一种专门用在悬停红外抑制系统(HIRSS)的排气挡板上的高发射率红外涂层。HIRSS是用来减弱直升机发动机的红外特征的。随着直升机 相似文献
36.
37.
与用其他材料制备的红外光子探测器相比,碲镉汞红外探测器具有带隙灵活可调、量子效率较高以及R_0A接近理论值等优点。碲镉汞探测器的主要缺点是需要低温制冷,以抑制引起噪声的热生自由载流子。期望碲镉汞探测器在具有高工作温度(High Operating Temperature,HOT)的同时而又无需牺牲性能。HOT碲镉汞探测器的设计目标主要是抑制俄歇过程,从而降低探测器噪声和低温制冷需求。从相关基本概念出发,讨论了对HOT碲镉汞物理机制的理解以及近年来HOT碲镉汞技术的发展状况。 相似文献
38.
能在高温下工作的InSb基InAlSb红外探测器是新一代红外探测器的发展方向。对衬底表面氧化层的研究是该研究方向的基础。利用椭偏仪(Spectroscopic Ellipsometry,SE)、X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)对用现工艺生长的InSb衬底表面氧化层进行了分析。从常用的腐蚀液中挑选了较优的腐蚀液,调节配比,试验加入无机酸后的效果,获得了较优的表面氧化层处理液。对处理后的表面氧化层的稳定性进行了对比,分析了其主要成分的变化,最终获得了满足Epi-ready InSb晶片表面氧化层参数的衬底,为后面高温工作探测组件的研究打好了基础。 相似文献
39.
NLAS5223是安森美公司最近推出的新器件,是一种先进的CMOS模拟开关。在一个小尺寸10引脚WQFN封装中,有两个独立的单刀双掷模拟开关。该模拟开关主要特点:工作电压低,VCC=1.65~3.6V(型号为NLAS5223的与2.8V芯片接口,型号为NLAS5223L的与1.8V芯片接口);低功耗,最大的静态电流为±1μA(25℃);传输电流大,每一个开关可连续传输±300mA电流;开关的导通电阻小,在V CC=3.0±0.3V时,其导通电阻RDS(on)<0.5Ω;导通电阻在不同输入电压时,其平直度为0.15Ω;两个开关之间的导通电阻匹配性(电阻差值)不大于0.05Ω;开关关断时,绝缘电阻高;… 相似文献
40.