电金的光电直读法测定

探讨了光电直读法测定电金中杂质元素的分析条件。充分利用光电直读分析检出限低，分析快速准确。操作简便等特点成功地解决了电金中杂质元素的分析，取得了满意的效果。     

空气中有害杂质对空分装置的危害及清除

通过分析大气中有害杂质对空分装王的危害，介绍防止空气中有害杂质进入空分装王的措施及清除方法。     

利用“废镍皮”制取结晶硫酸镍

在镀镍溶液中采用低电流密度电解处理金属杂质时,常用薄铁片制成瓦楞形板,做为假阴极,电解处理过程中,与Cu~(2+)杂质被还原成金属铜沉积在瓦楞板上的同时,还有相当一部分Ni~(2+)还原成     

硫酸镁氯化锂中微量铁的测定

本文以赤丝草醇掩蔽铝,用Fe—SAF—TPB三元体系发色,分光光度法测定硫酸镁、氯化锂中微量铁,不要富集、分离,方法简便,灵敏度高。回收率96％～102％,标准偏差硫酸镁为1.9％,氯化锂为1.6％。     

气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。     

ICP时序型单道扫描Kalman滤波法直接测定高纯氧化镨中的稀土杂质

本文以Ｋａｌｍａｎ滤波法在时序型ＩＣＰ单道扫描光谱仪上直接测定了氧化错中的痕量稀土杂质，并以该法校正了基体的光谱干扰和被测元素之间的相互干扰，考察了该方法的检出限，测定结果与干扰系数法基本一致，该法谱线选择自由，适合高纯稀土试样中杂质的直接测定。     

GC／MS法测定杀虫剂乐果中的杂质

本文叙述用GC/MS法测定杀虫剂乐果产品中的主要杂质,并研究了乐果的质谱特性。