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81.
基于加工工艺便捷高效的板式扩散焊矩形微通道换热器,建立了以冷热直通道换热单元为研究对象的数学物理模型,研究了超临界二氧化碳(S-CO2)在不同边界条件和通道结构下的流动与传热特性。结果表明:随着雷诺数(Re)的增大,冷热直通道内的湍流增强,传热性能得到提升,流动摩擦阻力系数减小;与无格栅时矩形通道相比,格栅水平设置在矩形通道两侧时的扰流效果和传热性能最优,综合传热增强因子(PEC)相对最高,但与半圆形直通道相比其PEC仍有待进一步提高。 相似文献
82.
探究楼宇排列方式对天然气管道泄漏扩散的影响,可为实际楼宇排列以及天然气管道敷设提供一定的依据。针对天然气管道的泄漏,采用不发生反应的组分输运模型和标准的湍流模型,基于计算流体动力学方法 (CFD),建立了简化的三维几何模型和天然气泄漏速率随时间变化的函数关系,通过瞬态模拟探讨了等高、由高向低、由低向高三种楼宇不同排列方式对天然气泄漏扩散的影响。结果表明:天然气从泄漏孔喷出后顺着楼体贴壁流动进行扩散,楼宇排列方式从泄漏口方向由高向低可有效减缓天然气扩散;由低到高排列时,后方较高建筑相当于一个天然屏障阻碍天然气扩散,使得天然气在楼体间加速积聚,会造成较大安全隐患。因此,在天然气管道敷设设计时,尽量将天然气主管道敷设在较高建筑物的一侧。 相似文献
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86.
通过解变温扩散方程,导出非平衡晶界偏聚的数学表达式,建立了晶界贫硼局域尺寸与淬火加热温度、冷却速度以及非平衡晶界偏聚扩散激活能与扩散系数之间的关系,所得结果与实验结果相一致. 相似文献
87.
热处理过程中Hg1—xCdxTe/CdTe界面互扩散研究 总被引:1,自引:1,他引:1
对HgCdTe/CdTe/GaAs结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀,并用椭偏光谱测量方法,获得了样品在490℃经0.5h和2h热处理后不同深度下的组份分布.根据实验结果对Zanio等人提出的扩散系数公式进行了修正,得到490℃热处理条件下的组份扩散系数DHg1-xCdxTe(490℃)=4×10-3×10-3·x. 相似文献
88.
塑封胶吸湿对器件分层影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
进行3种塑封胶的吸湿试验来证实其在相同器件中的不同可靠性表现由吸湿量的差异造成,得到了树脂相同的塑封胶的吸湿量与二氧化硅填充量之间的关系。证实了MSL3条件下塑封胶吸湿遵循Fick定律,并且得到了MSL3条件下3种塑封胶中湿气的扩散系数。综合考虑回流过程中蒸汽压、塑封胶吸湿膨胀和热膨胀,进行了界面分层风险的定量分析。 相似文献
89.
分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8 μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET).设计了用于50~ 75 MHz频带的宽带匹配电路.研制的器件击穿电压为130 V.在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30%的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65%,抗驻波比大于10∶1. 相似文献
90.
n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm2,填充因子为80.69%。 相似文献