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在利用高分辨电子显微术研究 Si_3N_4结构过程中,有了新的发现。这些发现包括纳米级裂纹、超结构、纳米畴和辐射损伤等。纳米级裂纹是晶粒中纳米大小的裂纹,它可能是导致穿晶断裂的裂纹。超结构可能影响Si_3N_4晶粒的力学性能,我们在研究中发现了三种超结构。纳米畴是晶粒中一种新的结构缺陷,在研究中我们发现了两种这类畴。也研究了辐射损伤,发现 α-Si_3N_4比β-Si_3N_4更易于受到辐射损伤,这说明β-Si_3N_4比α-Si_3N_4结构更稳定。还仔细地研究了 Si_3N_4陶瓷的晶界,结果指出,晶界工程对于改善 Si_3N_4陶瓷的力学性能是强有力的手段。 相似文献
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Al-Sn 合金多晶样品中,在传统晶界峰的高温侧发现了两个不同类型的内耗峰(记作 P_1,P_2峰),它们在单晶中均消失,因而与晶界相关。P1与晶界峰有消长关系,对时效和退火温度敏感,仅在降温过程中出现,是过程峰,存在于 Al-0.008wt-%Sn 和 Al-0.0135wt-%Sn 多晶试样中;P_2与晶粒尺寸和样品尺寸相关,是稳定的内耗峰,存在于 Al-0.067wt-%Sn 和 Al-0.136wt-%Sn 多晶试样中。P_1,P_2峰分别来源于被Sn 原子非平衡偏聚的细晶界和含有 Al-Sn 沉淀粒子的粗晶界。 相似文献
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用透射电镜详细观察了含微量稀土的 Al-Zn-Mg 合金在超塑变形过程中晶界位错的形态、运动及其与晶界第二相粒子的相互作用情况。发现晶界中的第二相粒子对位错沿晶界运动有明显的阻碍作用。实验还发现在含第二相粒子较多的晶界的超塑性合金中,晶界滑动是通过位错沿晶界运动和晶界的粘滞性流动两种机制同时发生作用进行的,它们相互促进并共同推动了晶界滑动的发展。首次在透射电镜下观察到超塑变形使晶界加宽的现象,在面缩率ψ=72.2%的样品中测得某晶界的宽度约为100nm,从而证实了超塑变形的晶界滑动和晶粒转动机制。 相似文献