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51.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
52.
53.
HCC技术在工艺上有别于蒸汽裂解和FCC,为了有效防止设备腐蚀,对HCC硫分布规律进行了研究。HCC工艺中60%以上原料硫转移到气体中,而气体中的硫95%以上是硫化氢,气体防腐以防硫化氢腐蚀为主;液体产品中的硫占原料总硫的(11~28)%,其中98%以上的硫是噻吩类硫,(1~2)%硫的非噻吩类硫,低于同种原油焦化和催化裂化柴油的非噻吩类硫含量,其硫腐蚀性较低。 相似文献
54.
研究了厚膜永磁阵列微致动器中的磁场分布,并研究了永磁阵列单元几何尺寸对微致动器电磁力的影响。结果表明,厚膜永磁阵列单元高宽比和磁体单元间隔对微致动器电磁力影响较大磁徕单元高宽比为0.7是一个比较合适的尺寸。 相似文献
55.
文章首先对WCDMA与GSM共享室内分布系统的可行性进行了分析,然后提出了相关设计指标的建议值和典型的设计方案,对时下正热门的2G/3G共享室内分布系统的设计具有一定的参考意义。 相似文献
56.
使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
57.
58.
偏振模色散的波片级联仿真模型的比较 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了研究偏振模色散常用的两种数值仿真模型,并且利用常用的两种仿真模型分别对特定角频率下的差分群时延在不同光纤中的分布情况和同一根光纤中的差分群时延在一定频率范围内的分布情况进行了模拟。最后发现对于特定角频率下的差分群时延在不同光纤中的统计分布,两种模型都可以给出比较满意的结果,但是在模拟同一根光纤中的差分群时延在一定频率范围内的统计分布时,发现等段长模型给出的分布结果和理论相差较大,但是模拟得到的平均差分群时延和理论结果还是比较吻合的。 相似文献
59.
60.
给出了覆盖层厚度对巷道周围应力分布的影响及巷道间相互作用的计算机仿真,用三维有限元法分析了在不同覆盖层厚度下巷道周围的应力分布和两个巷道之间不同距离下的相互作用。数值模拟表明了巷道周围应力分布和应力集中系数随覆盖层厚度增加的变化规律,找到了两巷道之间的距离的临界值,当两巷道间距离大于该临界值时,它们之间的相互作用消失。 相似文献