等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

光栅位移测量技术在电感生产中的应用

阐述了如何利用光栅精密测量的特性，实现电感生产过程中送线长度的测量与控制，采用了脉冲辨向及四倍频电路以实现信号方向识别和提高测量精度。     

电容位移法精确测量磁性薄膜的磁致伸缩系数

介绍了一种精确测量磁性薄膜磁致伸缩系数方法－电容位移法，并自行研制组装了一套测量装置，通过误差分析，仪器的精确标定，对稀土－铁超磁致伸缩薄膜的磁致伸缩系数进行了测量，获得满意的结果。     

迈克尔逊干涉仪应用的拓展

介绍利用迈克尔逊干涉仪精密的蜗轮蜗杆传动系统，融合光电技术，将迈克尔逊干涉仪的应用领域拓展到需要精密测量微小位移量的相关实验系统中去，以提高测量精度。     

带有集中质量的分布质量弹性转动横振精确解

求得了带有集中质量的分布质量弹性转轴系统横向自由振动的频率方程和振型函数的精确解析表达式，及其与不转动轴系统自由振动的频率方程和振型函数及转动角速度之间的精确解析关系     

剥离试验中根部旋转与塑性功的影响

本文对测定剥离试验中总能量释放速率的分析方法作了综述．然后用大位移弹性柱原理分析了根处局部弯曲现象，说明了弯头和直接传递部分间能量分配中柱的根部旋转所起的作用．用弹塑性方法结合模型预测根部旋转作进一步精细的分析．从预测的结果看出剥离能随厚度和角度的不同而变化．     

一种高精度大位移电容式位移测量系统

介绍一种新型的电容式位移测量系统，其测量范围为０～２５ｍｍ，线性度优于１／１０００，分辨率为０．１μｍ。文中详细分析了该系统的工作原理，特点及主要误差因素，给出了部分实验数据。     

电致伸缩陶瓷微位移器非线性的数值方法补偿

本文通过对电致伸缩陶瓷材料的非线性进行分析。找到了补偿电致伸缩陶瓷非线性的数值方法，并对不同回程大小的电滞回线进行了分段处理，使补偿结果更为精确。