低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片

该产品采用气相掺氮技术，即氮气既作为保护气，又通过与硅熔体反应掺入熔体，是硅晶体中氮的来源，解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相（氮气）直接掺氮，操作简便，成本低廉，但需要用特殊方法精确控制掺入量。     

看着像笔记本 Memorex Ultra TravelDrive

蟒蛇皮的眼镜腿，上面还镶着钻石，这样一眼镜儿够酷吧！这款眼镜是专门为女生设计的，而且是限量发售，镜片采用一体化设计方式，据说某些设计元素还参考了F1赛车轮胎。     

理学SMX-10/11型X荧光光谱仪的改进

对理学SMX-10／ll型X荧光光谱仪真空系统、样品定位系统及热交换器冷却水循环路径等易发生故障部位进行改进，并在11型仪器上增加了S元素分析通道。生产应用表明，改进效果良好，简化了分析工艺。降低了分析成本，提高了仪器的稳定性。     

关于明胶的蛋白质换算系数F

<正> 《明胶的科学与工艺学》指出,“干燥的无灰的碱法和酸法明胶的总氮量分别为18.15％和18.30％,故把氮的重量转换为明胶的因子相应地定5.5l和5.46。常应用于计算食品中蛋白质含量的因子为6.25,但当鉴定蛋白质和测定其氮含量时,它往往导致错误。”这段话说明,国外测定明胶蛋白质含量用的是无水无灰明胶,其换算系数F为5.51和5.46。     

八钢70t电弧炉冶炼弹簧钢钢液中氮含量的控制

针对EAF-LF-CCM（电炉一精炼炉一连铸）冶炼弹簧钢过程中钢液氮的控制进行了工业试验.试验表明：电炉冶炼过程中主要是电弧区增氮及出钢过程的增氮,精炼炉及连铸过程增氮主要是钢液与大气接触,通过试验对电炉短流程生产优钢过程中的氮含量的控制起到指导作用.     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

运输问题求解算法的执行效率分析——阶石法与元素判别值分配法的比较

本文针对求解运输问题的阶石法与元素判别值分配法 ,通过具有代表性的检验数据 ,在数值计算中分析两类算法的执行效率     

腐蚀算法在重建一类特殊管道中的应用

针对一类特殊而不能直接对其观察的管道（如动物的血管），为了准确了解其内部特征和形态，借助计算机给出了一种用腐蚀算法来重建管道原形的方法。这种方法简单易行，而且精确度高。     

KZON-170/550型空分设备在浮法玻璃生产中的应用

以含氧小于10ppm的高纯氮气(占94~95%)与含氧小于15ppm的氢气(占5~6%)作混合气保护锡槽,防止锡被氧化。介绍了该套设备性能良好,采用无油润滑空压机、分子筛净化再生新工艺、氧氮气双高,并简介了运行管理的几条经验。表1。