高压瓷绝缘子的强度与瓷件尺寸的关系

瓷棒的三点弯曲试验和实心及空心绝缘子的悬臂弯曲试验的破坏应力表明,随着绝缘子直径增大,开始时破坏应力急剧下降,当绝缘子具有较大直径时,破坏应力趋近一定值.对于采用悬臂弯曲试验的不同尺寸高压绝缘子,提出了一种新的计算平均韦伯尔系数的方法,求得其具有代表性的值为7.     

碳化硅晶须增强Si_3N_4复合材料

用SiC晶须增强热压Si_3N_4,研究了热压制度对SiC_w/Si_3N_4复合材料的密度、弯曲强度、断裂韧性、晶相组成和显微结构的影响,并确定了较佳的热压条件。对微观结构和性能之间的关系进行了初步的探讨。对材料的力学性能如强度、断裂韧性、高温强度等进行了表征。     

K2O—Al2O3—SiO2系统瓷相的计算定量

一、引言K_2O-Al_2O_3-SiO_2三元系统在陶瓷科学与工艺中是很常见的一个系统,许多瓷质配方都是以它为基础的,这包括古代的和现代的瓷质.人们研究并制造瓷器,从来关注的就是它们的性能,现代科学已证明,瓷质的性能是受它的结构组织控制的,而结构组织的最     

直流盘形悬式瓷绝缘子

本文介绍了国产160kN、210kN、300kN三种直流盘形悬式绝缘子的性能参数和试验研究情况。重点介绍了直流绝缘子的伞形研究、瓷质抗老化研究和钢脚抗腐蚀研究,并列举了160kN级的人工污秽、离子迂移和钢脚加速腐蚀等试验结果。     

稀土Sm2O3对多孔Si2N2O陶瓷显微结构和性能的影响EI北大核心CSCD

以Si3N4与Si O2为初始原料、Sm2O3为烧结助剂,通过无压烧结制备了气孔率不同的多孔Si2N2O陶瓷。研究了烧结温度、助剂含量对烧结后的产物的影响;测试了多孔Si2N2O陶瓷的力学性能、介电性能和抗氧化性能。结果表明：烧结温度过高或助剂含量过高都会导致Si2N2O相的分解;助剂含量对Si2N2O陶瓷微观组织产生明显的影响,随着助剂含量的增多,其显微结构由细小层片状过渡到板状晶粒再到短纤维搭接的板状晶粒结构,所制备的Si2N2O陶瓷比Si3N4陶瓷具有更优异的性能,抗弯强度为220 MPa,介电常数ε为4.1,介电损耗tanδ〈0.005。1 400℃氧化10 h,Si2N2O与Si3N4的质量增量分别为0.6%与2.1%。     

硅渗氮陶瓷烧结中的计算机模拟研究

通过计算机模拟预制硅渗氮坯料过程中,超细硅颗粒的几何形状和尺寸对烧结坯料中颗粒配位数的影响的结果,说明了计算机模拟技术在硅渗氮陶瓷烧结反应中的应用。     

低成本燃烧合成氮化硅的工艺研究

采用硅/氯化铵为反应剂，在2MPa的较低氮气压力实现了燃烧合成氮化硅。研究结果表明，对硅，氯化铵反应剂进行机械活化处理，可以有效提高反应剂活性，从而促进硅粉在低氮气压力下的快速燃烧氮化。随着原料中氯化铵加入量的增加，产物中α相氮化硅含量逐步升高，最高可达90．6％（质量分数）。应用简单的分析模型计算了料坯中心与表面的温度差，结果表明，以热辐射为主的散热方式导致的粉坯内外温度差是决定产物中不同部位的相组成和形貌产生差异的原因。模型计算和实验检测的结果都证明了这种温度差异的存在。     

钢铁表面氮化硅薄膜生成技术

氮化硅(Si3N4)因其优异的性能可能在钢铁表面的改性技术中获得重要应用,钢铁表面复合氮化硅层的生成和应用已成为当今材料科学研究开发的热点之一.综述了钢铁表面形成氮化硅薄膜的基本过程,各种制备方法、特点及影响因素.