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41.
逆反应烧结制备铝电解槽用氮化硅-碳化硅复合材料 总被引:3,自引:0,他引:3
采用常规的反应烧结工艺制作铝电解槽侧壁材料用Si3N4/SiC时存在不足,为此,提出应用逆反应烧结工艺进行生产性试验的设想。在制备Si3N4/SiC复合材料时,常规反应烧结是以Si和SiC为原料经氮化烧结;逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应生成活性氧化物后进行烧结。结果表明:该工艺特点是新生的Si2N2O或SiO2进行活性烧结;制品具有良好的物理和化学性能。制品结构紧密,新生氧化物或亚氧化物紧密地充填在Si3N4和SiC颗粒间界,新工艺制备的砖的抗冰晶石熔体侵蚀的性能优于常规工艺烧成砖,是铝电解槽侧壁的良好材料。 相似文献
42.
43.
制备了含10vol%,20vol%及30vol%SiC晶须的Si_3N_4基复合材料,对其室温及高温机械强度的测试研究表明,SiC晶须对基体的高温机械性能有明显的增强作用。含20vol%SiC晶须的复合材料1200℃下强度达780MPa,比基体材料提高50%。通过SEM和TEM研究,讨论了SiC晶须增强的原因。 相似文献
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45.
确定了高氧化铝含量(0.5%-20%)的高炉用氮化硅结合碳化硅制品中Si3N4、SiC、fSi、SiO2、Fe2O3、Al2O3六种化学成分的化学分析方法试验条件.并按条件试验选择了分析方法,进行了精密度、准确度和实际工作的考核,证明了本分析方法可靠、切实可行,能满足科研工作和生产的要求。 相似文献
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48.
直接凝固注模成型Si_3N_4及SiC陶瓷──基本原理及工艺过程 总被引:10,自引:3,他引:10
直接凝固注模成型(directcoagulationcasting,DCC)是一种崭新的(准)净尺寸陶瓷成型方法。本文报道了采用此法成型Si_3N_4及SiC陶瓷的基本原理和工艺过程。DCC成型工艺过程为把高固相含量低粘度的陶瓷浆料浇注到无孔模具中,事先加入到浆料中的生物酶及化学物质通过改变浆料的pH或电解质浓度来改变浆料的胶体化学行为,从而使浆料原位凝固,得到有足够脱模强度的陶瓷坯体。DCC成型的特点为坯体密度高(理论密度的55%~70%),坯体均匀,不用或只需少量的有机添加剂(少于1%),可成型大尺寸、复杂形状、高可靠性的陶瓷部件。 相似文献
49.
由碳化硅及氮化硅制造的陶瓷材料的强度 总被引:1,自引:0,他引:1
列举了由碳化硅及氮化硅加入氧化物活化剂(Al2O3、Y2O3)制造的烧结陶瓷材料的高温强度、硬度及抗裂性的研究成果。其结果表明:由Si3N4制造的材料的强度在≥1000℃时开始下降,而由SiC制造的陶瓷则具有更高的高温强度。采用维克尔氏方法在压头受到的荷重为1kg至10kg的条件下,测定了材料的硬度和抗裂性。 相似文献
50.
烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以Si粉和C粉为主要原料 ,在氮气流量为1.2L·min- 1,氮化温度为 1380℃ ,保温时间为 2 0h的条件下 ,研究了分别以 10wt%的MgO、Al、Al2 O3和Al2 O3+Y2 O3粉为烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响。结果表明 :以MgO粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是MgSiO3,另外还有Si2 N2 O ,但没有Si3N4 生成 ;以Al粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是SiO2 ,仅有少量Si3N4 存在 ;以Al2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分是β Si3N4 和α Si3N4 ;以 2wt%Al2 O3+8wt%Y2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分为 β Si3N4 ,同时含有少量α Si3N4 。 相似文献