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本文将空间结构变化的要求与动态资料确定的储量共同作为约束,建立了包含两个约束条件的目标函数, 应用模拟退火算法对孔隙率的空间分布进行预测。在实现过程中,通过初始控制参数的给定及目标函数修改提高了运算效率。由于目标函数有效地整合了静、动态信息,从而降低了模拟结果的不确定性.提高了模拟的精度。合成数据及实际数据的模拟试验表明,整合区域特性约束不仅提高了孔隙率模拟精度,而且算法收敛快、稳定性高。 相似文献
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琼东南盆地深水区经历了断陷、断拗和拗陷3大构造演化和沉积充填阶段,主要发育4种沉积体系,相应地形成了4类主要储层:1)陵三段扇三角洲或滨海相砂岩储层;2)三亚、梅山组滨浅海相砂岩储层;3)三亚—莺黄组低位体储层;4)梅山组台地边缘礁滩灰岩储层。平面上,储层发育具有明显的分带性,可划分为:北部浅水陆架滨岸砂岩、三角洲砂岩储层发育带;中央坳陷低位体储层发育带;南部永乐隆起区碳酸盐岩储层发育带。深水区主要位于后2个带,每个带储层发育的控制因素不同,可以进一步划分为多个储层发育区。每个储层发育区存在多套储盖组合,每套储盖组合在多个储层区中发育。其中台地灰岩储层可能成为南部隆起区具有重要意义的勘探层系。 相似文献
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分析了试井技术的发展趋势,对有限元分析技术及其发展作了较为全面的介绍,重点阐述了利用有限元技术进行三维建模的方法和步骤,尤其是对复杂的非对称边界和非均质油藏的建模方法和技巧进行了深入探讨。利用数值试井技术,石油工程师可以方便准确地对复杂油藏和边界进行建模,试井的模拟过程和油藏任意位置的压力瞬间变化都可以通过图形和颜色的变化显示出来,解释的精度和速度都得到了大大地提高。 相似文献
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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
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主要介绍了2003年EAGE岩石物性测试分析技术取得的新进展。从本届年会看,岩石物理内容主要涉及岩石物理模型建立、时延地震岩石物理与岩石各向异性分析、喷射频率和流体饱和度及其分布预测、岩石物理模拟等新方法、新技术、新成果。在充分考虑岩石物理受当地地质因素影响后,提出岩石物理模版概念,目的是为地质专家方便对岩性和流体的解释提供一种工具。 相似文献
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聚合物熔体的非等温平板收缩流动的数值模拟 总被引:6,自引:0,他引:6
用有限元法模拟了Carreau流体在4:1平板收缩口模中的非等温挤出流动,采用3节点的三角形单元对速度、压力和温度进行等阶插值,运用特殊的罚函数处理流体的不可压缩条件,解决了压力场的数值振荡问题,并用改进的Newton迭代法对非线性方程进行求解,成功地计算了Carreau流体在平板收缩流动中的速度、压力、粘度以及应力的分布,同时得到温度场的分布,计算的应力分布与实验的结果及Renardy的分析结构相符。 相似文献