Ni-Au/AlN/Si器件的深能级瞬态谱研究

对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明,制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器件中,靠近AlN/Si界面处的掺杂浓度为4.4×10¹⁷cm-3,明显高于Si衬底的1.4×10¹⁶cm-3,意味着制备态样品中Al原子已经向衬底硅中扩散。采用退火工艺研究了GaN器件制备过程中的热影响以及热处理前后电活性缺陷在硅衬底中的演变情况,发现退火处理后,Al原子进一步向衬底硅中更深处扩散,扩散深度由制备态的500nm左右深入到1μm附近。DLTS研究结果发现,在Si衬底中与Al原子扩散相关的缺陷为Al-O配合物点缺陷。DLTS脉冲时间扫描表明,相比于制备态样品,退火态样品中出现了部分空穴俘获时间常数更大的缺陷,退火处理造成了点缺陷聚集,缺陷类型由点缺陷逐渐向扩展态缺陷发展。     

nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析

阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.     

不同热化学还原LiNbO_3：Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬＩＮｂＯ３：Ｔｉ，Ｍｌｉ（ＬＮ：Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性．将ＬＮ：Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｕｒｎ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０￣８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ（３＋）的２Ｔ→２Ｅ跃迁以及室温稳定Ｆ＋心滞有一个电子的氧空位）．经真空１．２Ｐａ，８００℃２ｈ还原后，存在峰值为６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的４８０～７８０ｎｍ平滑吸收带，它们是Ｔｉ（３＋）、Ｆ心和Ｆ＋心重叠吸收，但是，在Ａｒ气氛下、９００℃、８ｈ处理后，仅能看到峰值在６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的６００～７８０ｎｍＴｉ（３＋）的弱吸收．来自未处理ＬＮ：Ｔｉ晶体的室温和Ｘ带的ＥＳＲ＄观察到ｇ＝４．３４８，共振磁场０．１５２ＴＨ（ｐ－ｐ）＝０．０１６３Ｔ微波吸收峰，以及四组精细结构Ｂ线（每一ｆｓ线是由６条超精细结构ｈｆｓ组成），ｇ值从３．４６０～１．６７９吸收，它们分别归为于晶体杂质Ｆｅ（３＋）和Ｍｎ（２＋）离子．真空还原后，Ｆｅ（３＋）的     

铝掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响

研究了微量铝(Al)掺杂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用机理。研究结果表明, 介电损耗峰值能够在一定程度上反映ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度, 微量Al掺杂能够引起ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度的显著降低。氧空位缺陷对应的损耗峰峰值从88.82下降到1.74, 锌填隙缺陷对应的损耗峰峰值从133.38下降到8.14。随着Al掺杂量的增加, ZnO压敏陶瓷平均晶粒尺寸从9.15 μm逐渐下降到6.24 μm, 而压敏电压从235 V/mm逐渐提高到292 V/mm。可见Al掺杂抑制了ZnO压敏陶瓷中本征点缺陷的形成, 而本征缺陷浓度的降低导致材料显微结构和电性能发生明显变化。本文阐述了Al掺杂对ZnO压敏陶瓷本征缺陷的影响机理, 建立了ZnO压敏陶瓷显微形貌、电性能、介电性能和本征点缺陷之间的联系。     

近红外飞秒激光在纯石英玻璃中诱导产生点缺陷结构

综述了近红外飞秒激光在纯石英玻璃中诱导产生点缺陷结构的研究进展,分析了飞秒激光诱导产生点缺陷结构的原因,并介绍了纯石英玻璃的点缺陷结构特性。     

深冷处理对冷冲压模具钢Cr12MoV力学性能影响的研究

研究了深冷和未深冷处理试样的力学性能,结果表明,深冷处理试样的强度、冲击韧性和耐磨性明显提高,通过透射电镜观察,强度提高是由于点缺陷密度增加和残余奥氏体细化的结果;冲击韧性和耐磨性的提高是由于微细碳化物的析出。     

Laves相合金的物理冶金特性

综述了Laves相的晶体结构特点、点缺陷类型和机制、相变特征和机理以及相稳定性。认清和掌握这些物理冶金特性对Laves相合金的深入研究具有重要的指导意义。