基于FPGA的TFT LCD快检信号源的设计

目前TFT模块的生产过程中常伴有模块的线缺陷和点缺陷,依据TFF模块的驱动和测试原理,设计了一种由FPGA和模拟开关组成的集成测试信号源,该信号源可提供源极信号、栅极信号、栅极控制信号和公共地信号四路测试信号,此四路信号无论是在频率、占空比、延时,还是幅值上都满足对一般中小尺寸TFT液晶模块的线缺陷和点缺陷的测试要求,可以灵活方便地移植到其他模块测试中,具有通用性.     

SrTiO3的缺陷化学

系统分析了有关SrTiO₃的缺陷化学的文献报道,在此基础上给出了未掺杂、受主和施主掺杂SrTiO₃的缺陷反应方程、平衡常数、各种缺陷的生成自由能和生成焓.由此可以计算和预测SrTiO₃主要点缺陷的浓度.     

中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征

中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（ＰＡＴ）已成为研究材料中微观缺陷的有...     

GaN中质子辐照损伤的分子动力学模拟研究

本文利用分子动力学方法研究了GaN在质子辐照下的损伤。对不同能量（1~10 keV）初级离位原子（PKA）引起的级联碰撞进行了研究,分析了点缺陷与PKA能量的关系、点缺陷随时间的演化规律、点缺陷的空间分布及点缺陷团簇的尺寸特征。研究结果表明,点缺陷的产生与PKA能量呈线性关系,不同类型的点缺陷随时间演化规律相似,点缺陷多产生在PKA径迹旁,点缺陷团簇多为孤立的点缺陷和小团簇。     

金属间化合物L1_0-TiAl点缺陷浓度的第一原理

采用第一原理平面波赝势方法,结合Wagner-Schottky缺陷热力学模型,研究金属间化合物L10-TiAl中各种空位和反位点缺陷的形成焓、热力学平衡浓度及其相互作用等。结果表明:这些缺陷的热力学平衡浓度均随温度的升高而增大,其中反位缺陷浓度均高于空位缺陷浓度,Ti空位浓度高于Al空位浓度。在理想化学计量比成分下,Ti反位缺陷的浓度与Al反位缺陷的基本相当;在略偏离计量比的富Ti成分端,Ti反位缺陷的浓度高于Al反位缺陷的;在富Al成分端则相反。不同点缺陷之间均普遍存在相互排斥性,难以聚集,将倾向于向基体中分散和扩散。     

2205双相不锈钢与316L奥氏体不锈钢钝化膜内点缺陷扩散系数的计算分析

应用电容测试法并借助于点缺陷模型（PDM）计算了2205双相不锈钢与316L 奥氏体不锈钢在NaCl溶液中所形成的钝化膜内点缺陷的扩散系数,利用实验测得钝化膜的稳态电流和PDM模型对计算结果进行了验证分析。通过两种计算方法得到点缺陷在2205双相不锈钢与316L奥氏体不锈钢钝化膜内的扩散系数约为10^-23cm²/s~10^-20 cm²/s数量级,并发现在模拟海水溶液中2205钢的扩散系数比316L钢小,氧空位所形成的点缺陷在2205钢的钝化膜内比316L钢扩散困难,从而使得2205不锈钢的钝化膜比316L不锈钢更加致密与完整,保护性能更好。     

304不锈钢精铸件点缺陷的形成与控制

针对典型304不锈钢精密铸件内出现的黑色点缺陷,对其表面形貌、成分进行了分析,并在此基础上总结了缺陷的形成机制,确定了相应的防止措施。研究结果表明,铸件内的点缺陷可以划分为两类:一类具有不规则截面,为脱蜡过程中剩余腊料的燃烧残留物;另一类为熔炼过程中,由于脱氧剂和除渣剂的去除不彻底而引入的夹杂。通过优化脱蜡和熔炼工艺,使得铸件内的点缺陷得到了很好的控制。     

B2-RuAl点缺陷结构的第一原理计算

采用第一原理赝势平面波方法,计算了B2-RuAl金属间化合物的基本物性及其点缺陷结构的几何、能态与电子结构,通过对不同点缺陷结构形成热与形成能的计算与比较,分析和预测了RuAl金属间化合物中点缺陷结构的种类与存在形式.结果表明：RuAl金属间化合物的点缺陷主要是Ru空位和Al反位,在富Ru合金中主要为Ru反位,在富Al合金中则主要是Al反位.这些点缺陷主要以Ru-Ru双空位和Al-Al双反位的组态结构形式出现,并且双空位以Ru-Ru为第一近邻时其点缺陷结构最稳定,而双反位则是以Al-Al为第三近邻时稳定性最高.进一步通过对NiAl和RuAl不同点缺陷结构Cauchy压力的比较,发现点缺陷对RuAl塑性的降低程度比NiAl低,因而含有点缺陷的实际合金的室温塑性RuAl比NiAl好.     

He对低活性Fe-Cr-Mn(W,V)合金辐照产生点缺陷行为的影响

采用超高压电镜与离子加速器相连结的复合辐照装置,研究了注He对低活性Fe-Cr-Mn(W,V)合金辐照产生的点缺陷及二次缺陷行为的影响．实验结果表明：辐照初期形成的点缺陷与He相互作用,进而影响二次缺陷(位错、位错环和空洞)的形成;He明显促进位错密度增大和空洞核心形成,并导致空洞肿胀增加．对辐照产生的点缺陷与He相互作用的机理进行了理论分析。     

辐照条件下空洞超点阵形成过程的相场模拟

钨（W）具有高熔点、高热导率和优异的抗辐照能力等优点,是未来聚变堆面向等离子体部件的重要候选材料。然而中子辐照后的纯W中会产生空洞超点阵,严重影响其服役性能。本文改进了辐照条件下纯W中空洞超点阵形成过程的相场模型,采用更合理的体系总自由能函数表达形式,且考虑了空间与时间上随机分布的辐照点缺陷的产生。模拟结果表明：辐照过程中,间隙原子的定向扩散及其与空位的相互作用是空洞超点阵形成的主要原因;间隙原子沿不同方向的定向扩散形成了不同类型的空洞点阵;点阵中空洞的排列会随模拟时间的延长变得有序,空洞尺寸也会变得基本一致,而空洞形状并非标准的圆形,模拟结果与实验结果基本一致。