Bonding Character and Formation Energy of Point Defects of He and Vacancy on （001） Surface of bcc Iron by First Principle Calculations

The structure and energy of He impurities and vacancy on (001) surface of bcc iron are investigated by an ab initio method. Three cases for stabilities of a He atom at the surface are found: some of He atoms at surface atomic layers (SAL) relax into vacuum gap; some of surface He atoms at octahedral interstitial site relax into more stable tetrahedral interstitial site; some of surface He atoms still stay at tetrahedral interstitial site. The un-stability of the He atom at the surface system can be explained by deformation mechanism of charge densities and electronic densities of states. It is found that formation energy of the point defects from the topmost SAL to bulk-like atomic layer increase gradually, for example, the formation energies of a monovacancy at the first five topmost SALs are equal to 0.33, 1.56, 2.04, 2.02 and 2.11 eV, respectively. The magnetic moments of Fe atoms in the surface atomic layers are also calculated.     

L12-Al3Li金属间化合物点缺陷浓度的第一原理计算

运用第一原理平面波赝势方法计算L12-Al3Li金属间化合物点缺陷的形成焓,并结合Wagner–Schottky模型,研究L12-Al3Li金属间化合物在523、673、823和1 000 K时点缺陷浓度与成分之间的关系。结果表明:在这4个温度下,L12-Al3Li金属间化合物中Al空位浓度最小,Li空位浓度次之,Al反位和Li反位的缺陷浓度较大。Al反位和Li反位缺陷浓度在理想金属间化合物Al3Li化学计量比成分处基本相同,不过两种反位的缺陷浓度随着合金成分相对于化学计量比成分的偏离而变化显著,在富Al端Al反位缺陷浓度较大,在富Li端Li反位缺陷浓度较大。运用Arrhenius方程计算点缺陷的有效形成焓,结果显示Al反位和Li反位的有效形成焓较小且基本相同,Li空位次之,Al空位最大。     

钨/铜界面处氢原子与空位相互作用的第一性原理计算

钨/铜界面是聚变堆偏滤器的重要连接界面,在高热流密度和强中子辐照下会成为氢同位素渗透滞留的高速通道和捕获陷阱。本文利用第一性原理方法研究了钨/铜界面处氢原子与点缺陷的相互作用,考察了氢原子的滞留行为和空位在界面处的形成行为,分析了氢原子的优先占据位置及氢原子与空位的作用机理。结果表明：在钨/铜界面中,氢原子稳定存在于钨/铜界面中间及铜晶格中;对于空位,界面附近的铜空位不稳定,会自发移动到钨/铜界面的顶端表面,而钨空位相对稳定存在;相比于铜空位,钨空位吸引氢原子的能力更强。氢原子的存在会抑制铜空位的迁移现象,从而可能形成氢泡。     

温度对X80管线钢钝化膜电化学性能的影响

应用电化学阻抗谱（EIS）技术研究了温度对X80管线钢在模拟土壤环境中所成钝化 膜电化学性能的影响,同时应用点缺陷(PDM) 模型分析了温度对钝化膜电化学性能的影响。结果表明：随着成膜温度的升高,钝化膜的稳态电流增大,膜内施主密度增加,膜电阻、传递电阻及离子在膜内的扩散系数$D$减小,其原因在于温度升高,钝化膜内的氧空位数量增加。     

射频分子束外延生长氮化铝材料中缺陷的研究

采用射频分子束外延方法生长了氮化铝薄膜材料,研究了生长条件对外延层中位错和点缺陷等晶体缺陷的影响.结果表明,在富Al条件下,适当提高生长温度有利于抑制位错的产生,但同时会引入更多的氧杂质点缺陷.而对于空位点缺陷,在富Al条件下进行二维生长可同时增强Al和N原子的迁移,因此可有效地减少Al空位和N空位.但是,相比于Al空位,薄膜中的N空位更难以消除.     

L10-TiAl合金点缺陷结构的赝势平面波方法研究

采用第一原理赝势平面波方法,计算了L10-TiAl金属间化合物点缺陷结构的能量、几何与电子结构。点缺陷形成热与形成能的计算结果表明：富Ti合金易出现Ti反位缺陷,富Al合金易出现Al反住缺陷。点缺陷结构类型与实验结果一致。基于晶体总电子态密度结构信息,上述计算结果被初步分析。通过计算点缺陷结构模型的弹性常数,比较其G／B值,初步得出点缺陷致使L10-TiAl金属间化合物的室温塑性进一步变差。     

氧化锌点缺陷发光机理的研究进展

综述氧化锌点缺陷发光机理的研究进展。由于纯氧化锌发光归因于本征点缺陷,理论计算方法可以得到几种本征点缺陷对应的缺陷能级,通过掺杂不同元素和改变氧分压、溅射功率、衬底温度和退火温度等制备条件,观察氧化锌薄膜光致发光的变化,进而推测氧化锌薄膜发光机理,得到了不同的机理解释。     

存在点缺陷的深沟球轴承的动力学响应

点缺陷对滚动轴承的使用寿命和整机性能有着显著的影响.基于单边接触模型和弹流润滑理论,分析了存在点缺陷的滚动轴承的响应特征.采用多体动力学方法建立了考虑点缺陷的滚动轴承动力学模型,对外圈存在点缺陷的滚动轴承的内圈、外圈和保持架等的动力学响应进行了模拟.分析了在滚动体通过缺陷的动力学过程中滚动体和外圈产生的冲击现象,发现频率响应中的峰值频率与外圈的特征频率相关,这与滚动轴承故障诊断结论相吻合.提出的滚动轴承动力学模型可以用于点缺陷故障特征的提取和滚动轴承的故障诊断.     

关于摩托罗拉A925 JAVA程序无法删除的解决方法

有很多人反映JAVA程序不能在起动器的“移除”里面删除，下面提供一个非常规的卸载方法以节省C盘空间。众所周知，使用925最直接的清除方法是“主清除”，但是这样手机里的其它东西也没了，刷机与此类似，而且需要刷机程序和ROM。在此我介绍一种方法，它不会损坏手机里其它的东西，但操作方法有点麻烦，也有一点缺陷。     

TFT液晶显示器缺陷检测系统信号发生器的研究

TFT-LCD在生产过程中常伴随着点缺陷和线缺陷的产生,本文基于液晶模块驱动和测试原理,设计了一种由单片机、模拟多路开关和触发器组成快速检测缺陷的测试信号源.该测试信号源可检测TFT模块的线缺陷和点缺陷.