点缺陷和Nb掺杂对α-Zr弹性模量各向异性影响的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了点缺陷和Nb原子掺杂对α-Zr力学性质的影响。结果表明,单空位引入使得α-Zr的剪切模量增大,Nb原子掺杂使得α-Zr的剪切模量下降。通过计算含不同点缺陷的α-Zr三维杨氏模量,得到点缺陷引入和Nb掺杂均会使α-Zr结构的各向异性减弱,从而可以在一定程度上缓解因各向异性导致的锆合金辐照效应。     

工艺流程中的凸点检测

在制作球形焊料凸点过程中，每一道工艺流程后都采用多种检测技术来捕捉凸点缺陷，这些目前已在生产中广泛应用。     

Study of point ldefect detectors in Si

The importance of point defects in semiconductor and function materials has been studied in detail.but effective means for detecting point defects has not been available for a long time.The end of range defects in Si,produced by 140keV Ge^ implantation,were investigated as detectors for measuring the interstitial concentration created by 42keV B^ implantation.The concentration of interstitial resulting from the B^ implantation and the behavior of the interstitial flux under different annealing condition were given.The enhanced diffusion in the boron doped EPI marker,resulting from mobile non-equilibrium interstitials was demonstrated to be transient.Interstitial fluxes arising from processing can be detected by tansient enhanced diffusion(TED) of doped marker layers as well.     

Bonding Character and Formation Energy of Point Defects of He and Vacancy on （001） Surface of bcc Iron by First Principle Calculations

The structure and energy of He impurities and vacancy on (001) surface of bcc iron are investigated by an ab initio method. Three cases for stabilities of a He atom at the surface are found: some of He atoms at surface atomic layers (SAL) relax into vacuum gap; some of surface He atoms at octahedral interstitial site relax into more stable tetrahedral interstitial site; some of surface He atoms still stay at tetrahedral interstitial site. The un-stability of the He atom at the surface system can be explained by deformation mechanism of charge densities and electronic densities of states. It is found that formation energy of the point defects from the topmost SAL to bulk-like atomic layer increase gradually, for example, the formation energies of a monovacancy at the first five topmost SALs are equal to 0.33, 1.56, 2.04, 2.02 and 2.11 eV, respectively. The magnetic moments of Fe atoms in the surface atomic layers are also calculated.     

温度对X80管线钢钝化膜电化学性能的影响

应用电化学阻抗谱（EIS）技术研究了温度对X80管线钢在模拟土壤环境中所成钝化 膜电化学性能的影响,同时应用点缺陷(PDM) 模型分析了温度对钝化膜电化学性能的影响。结果表明：随着成膜温度的升高,钝化膜的稳态电流增大,膜内施主密度增加,膜电阻、传递电阻及离子在膜内的扩散系数$D$减小,其原因在于温度升高,钝化膜内的氧空位数量增加。     

存在点缺陷的深沟球轴承的动力学响应

点缺陷对滚动轴承的使用寿命和整机性能有着显著的影响.基于单边接触模型和弹流润滑理论,分析了存在点缺陷的滚动轴承的响应特征.采用多体动力学方法建立了考虑点缺陷的滚动轴承动力学模型,对外圈存在点缺陷的滚动轴承的内圈、外圈和保持架等的动力学响应进行了模拟.分析了在滚动体通过缺陷的动力学过程中滚动体和外圈产生的冲击现象,发现频率响应中的峰值频率与外圈的特征频率相关,这与滚动轴承故障诊断结论相吻合.提出的滚动轴承动力学模型可以用于点缺陷故障特征的提取和滚动轴承的故障诊断.     

石墨烯基柔性衬底铬掺杂氧化锌的生长及催化性能研究

采用低温水热法,在石墨烯涂覆的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET-GR)柔性衬底上制备了不同浓度Cr掺杂的氧化锌纳米复合材料(Cr-ZnO/PET-GR)。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对氧化锌的晶体结构、微观形貌及表面化学状态进行了表征,采用电化学阻抗(EIS)、光致发光光谱(PL光谱)研究了氧化锌的光、电性能,并计算了Cr³⁺、Cr²⁺掺杂前后的分子最高占据轨道(HOMO)和最低未占据轨道(LUMO),评价光电子产生的难易程度。结果表明,Cr掺杂前后,氧化锌薄膜均为六方纤锌矿结构。Cr-ZnO/PET-GR和未掺杂的氧化锌(ZnO/PET-GR)纳米薄膜均为棒状,微量Cr的掺入使得ZnO纳米棒垂直度和致密度增大,纳米棒的直径减小。Cr元素主要以Cr³⁺的形式存在。理论计算和试验均表明,Cr³⁺掺杂使得载流子的复合效率显著降低,显著提高了其光催化效率。     

钨/铜界面处氢原子与空位相互作用的第一性原理计算

钨/铜界面是聚变堆偏滤器的重要连接界面,在高热流密度和强中子辐照下会成为氢同位素渗透滞留的高速通道和捕获陷阱。本文利用第一性原理方法研究了钨/铜界面处氢原子与点缺陷的相互作用,考察了氢原子的滞留行为和空位在界面处的形成行为,分析了氢原子的优先占据位置及氢原子与空位的作用机理。结果表明：在钨/铜界面中,氢原子稳定存在于钨/铜界面中间及铜晶格中;对于空位,界面附近的铜空位不稳定,会自发移动到钨/铜界面的顶端表面,而钨空位相对稳定存在;相比于铜空位,钨空位吸引氢原子的能力更强。氢原子的存在会抑制铜空位的迁移现象,从而可能形成氢泡。     

矿物类质同象的红外光谱研究

利用格临爱森近似、晶体色散理论、韦加德定津及数学分析，从理论上求得了矿物中类质同象点缺陷与晶格振动红外光谱谱带参数变异间一般的定量关系。并以石英为例，对这一关系给予了验证。     

关于摩托罗拉A925 JAVA程序无法删除的解决方法

有很多人反映JAVA程序不能在起动器的“移除”里面删除，下面提供一个非常规的卸载方法以节省C盘空间。众所周知，使用925最直接的清除方法是“主清除”，但是这样手机里的其它东西也没了，刷机与此类似，而且需要刷机程序和ROM。在此我介绍一种方法，它不会损坏手机里其它的东西，但操作方法有点麻烦，也有一点缺陷。