非整比化合物的化学教学探索

通过对非整比化合物概念在无机化学教学中深入分析,强调非整比化合物在教学中的重要性,阐述了非整比化合物的理论基础和广泛应用.采用理论与实践相结合的方法进行教学活动,使学生掌握了从事化学学科所必须的现代化学的基本理论、基本知识和基本技能,锻炼了自我获取知识、更新知识和拓宽知识的能力.增强了教学效果,完成了教学目的.     

宝石晶体中氢氧根离子的红外振动吸收

通过比较原生态宝石和钛宝石晶体中的氢氧根离子的红外振动吸收光谱,明确证明钛宝石晶体中的只有3309cm^-1带与晶体中的钛离子有关,3232cm^-1和3187cm^-1等带跟钛离子并无关系,引起3309cm^-1带的氢氧根离子的近邻必定有四价钛离子,在白宝石和红宝石晶体中,引起3278cm^-1带的氧氧根离子的近邻离子有铬离子出现,提出3278cm^-1带是邻近于二价和四价铬离子对氢氧根离子的振动吸收带。     

非线性滞弹性内耗的实验和理论研究

本文评述了非线性滞弹性内耗研究的新近发展，非线性滞弹性内耗与线性滞弹性内耗的主要区别是它不但呈现频率内耗峰和温度内耗峰，还在出现温度内耗峰的温度范围内出现振幅内耗峰。自１９５０年首次发现非线性滞弹性内耗现象以来，截至目前，已经发现了两种呈现非线性滞弹性内耗的体系：（１）点缺陷（空位与溶质原子）与位错的交互作用，在这方面已有了丰富的实验结果，提出了有关的物理模型，也进行了一些理论研究工作，（２）位错     

Tm~(3+)离子在BaTiO_3介电陶瓷中的位占据研究

Tm在BaTiO_3晶格中的位占据一直是存在争议的问题.针对按照名义分子式制备的(Ba1-xTmx)Ti1-x/4O3(BTm T)和Ba(Ti1-xTmx)O3(BTTm)陶瓷,采用X射线衍射(XRD)和电子顺磁共振(EPR)技术,鉴定Tm~(3+)离子在BaTiO_3晶格中的位占据情况.结果表明:Tm~(3+)在BaTiO_3晶格中的位占据与Ba/Ti比有关.在Ba/Ti1时,Tm~(3+)离子基本不溶于BaTiO_3晶格.当Ba/Ti1时,Tm~(3+)离子在BTm T陶瓷中的固溶度为x=0.02,且表现为四方钙钛矿结构;通过晶胞体积比较可知,Tm~(3+)显示同时占据Ba位和Ti位的双性行为,并表现出Ba位喜好倾向.     

碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状

与传统的氧化型核燃料相比,碳化铀因其有潜力用于第四代反应堆而受到广泛关注。为了安全有效地利用这种先进核燃料,有必要对它的结构、体性质和缺陷形成机制充分认识,从而了解随着裂变反应的进行裂变产物对核燃料性能的影响规律。本文对铀碳系列化合物(UC、UC_2和U_2C_3)实验和理论研究进行了综述,重点分析其缺陷结构下的化学和力学性能,同时对进一步的研究提出了展望。目的在于帮助核能领域的研究者厘清碳化铀的服役行为,同时为燃料设计者提供有价值的线索。     

γ射线辐照对MgO单晶的点缺陷组态及磁性的影响

对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收光谱研究了辐照样品的点缺陷情况,并将实验测量的漫散射结果与理论计算结果进行比对,以获得点缺陷组态的信息。利用超导量子干涉仪(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)测量了样品在不同温度下的磁性质。漫散射和吸收光谱的实验结果表明,经γ射线辐照的MgO单晶产生了阴离子弗伦克尔缺陷,并在室温下没有表现出铁磁性,只是在低温下观察到了顺磁信号,且辐照前后样品在零场冷却和加场冷却下的M-T曲线没有变化,说明阴离子空位没有导致MgO的d0铁磁性。     

基于第一性原理的D8m-Mo5Si3成键特征与点缺陷行为

运用第一性原理平面波赝势方法,对D8_m-Mo₅Si₃化合物的空位与反位缺陷的形成能、点缺陷浓度及其电子结构进行计算,研究D₈m-Mo₅Si₃的成键行为,并分析了其点缺陷结构的稳定性。结果表明:D₈m-Mo₅Si₃的晶格常数a=9.6808?,c=4.9033?,体模量B₀=247.08GPa。Mo₅Si₃的成键电荷密度呈现出纺锤状特征,表明了Mo 4d态和Si 3p态之间的局部杂化效应。由形成能的计算结果可知,在富Mo合金中Mo_Si1缺陷最稳定,在富Si合金中Si_Mo2缺陷最稳定。究其原因是因为在Mo_Si1和Si_Mo2这两种缺陷中Si和Mo原子之间的电荷积累效应得到增强,相互作用增大。结合Wagner-Schottky模型,研究了在2173...     

基于二维声子晶体点缺陷的声能俘获系统的优化

研究了二维声子晶体点缺陷的声能俘获系统,这种声子晶体是由水圆柱体散射体插在水银中组成的.数值结果表明声波局域在点缺陷处,通过放入压电片可俘获声能.采用一种新颖的优化方法,即在点缺陷中引入第三组元,计算寻找高质点速度场,预知压电片最优的位置和结构,获得了最优的声能俘获系统.结果还发现低密度的缺陷圆柱体在高密度流体基体下更利于声波局域和声能俘获.     

溶胶-凝皎-碳热还原法制备富碳β-SiC纳米粉体

采用溶胶-凝胶-碳热还原法,以正硅酸乙酯和蔗糖为原料,在0.1 MPaAr气气氛中碳熟还原合成β-SiC纳米粉体.通过x射线衍射,Raman光谱、扫描电镜和透射电镜对β-SiC纳米粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征.结果表明:当合成温度为1 600℃时,已经开始生成β-SiC相,随着温度升高至1 700℃,完全生成了含有Csi缺陷的富碳β-Sic相.β-SiC纳米粉体表现为纳米级的团聚颗粒,平均粒径为40nm,并生成晶须.对β-SiC纳米粉体的碳热还原反应机理进行了分析,结果表明:溶胶-凝胶法明显降低了生成气态SiO控制反应的温度.     

二维磁振子晶体点缺陷模耦合特性的研究

利用平面波展开法和超原胞计算,我们研究了存在点缺陷耦合态的二维磁振子晶体(由一种铁磁材料的圆柱体构成正方排列插入另外一种铁磁材料中形成)中自旋波的传播,结果表明该结构中的缺陷使带隙中产生局域态。局域磁振子的这些耦合特性在应用于设计自旋波滤波器方面将有很大的应用价值。