稀土氧化物LnO1.5掺杂CeO2-δ固体电解质的缺陷与电导率

利用缺陷化学的知识,对定量求解稀土氧化物LnO1.5掺杂CeO2-δ固体电解质中氧离子空位的浓度进行了初步探讨.在此基础上,推导出了该固体电解质的离子电导率和电子电导率的表达式.并且得出了计算CeO2基固体电解质临界氧分压P*O2的公式,利用该公式对两个问题进行了简单分析.     

AXI排除隐藏的焊点缺陷

Lamniographic自动X射线检查(AXI）可以应用于焊点检测，包括对隐藏在面积阵列封装下面的焊点进行检测，AXI也能在生产期间发现大多数的焊接缺陷．因而非常适于分析面积阵列封装上的焊点。     

印制电路词汇（19）

1046 pIastic quad fIat pack(PQFP):塑圭寸四边扁平封装封装的四边均有引脚伸出的表面安装类型的集成电路封装。1047 pfate finish(Iaminating):原始光洁面(层压)与层压模板直接接触形成的覆箔基板的金属表面的原始光洁面,即从层压机层压后未经后续工序     

计算机模拟在晶体点缺陷计算中的应用

在简要讨论了原子间五作用势发展概况的基础上，综述了近年来有关的产生及辐照损伤，点缺陷构型，点缺陷迁移机制等方面的计算机模拟的研究工作。     

ZnO的点缺陷结构与p型化转变的研究进展

ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表.但由于P型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制.系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和P型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zn或Vo.通过V族元素实现P型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是V族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.考虑到I族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过I族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现P型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现I族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.     

碳化铀核燃料缺陷结构的研究现状

与传统的氧化型核燃料相比,碳化铀因其有潜力用于第四代反应堆而受到广泛关注。为了安全有效地利用这种先进核燃料,有必要对它的结构、体性质和缺陷形成机制充分认识,从而了解随着裂变反应的进行裂变产物对核燃料性能的影响规律。本文对铀碳系列化合物(UC、UC_2和U_2C_3)实验和理论研究进行了综述,重点分析其缺陷结构下的化学和力学性能,同时对进一步的研究提出了展望。目的在于帮助核能领域的研究者厘清碳化铀的服役行为,同时为燃料设计者提供有价值的线索。     

高施主掺杂 BaTiO_3 陶瓷中施、受主杂质相互作用的一种异常现象

在高施主掺杂 BaTiO_3陶瓷中,若引入适量的受主杂质,其室温电阻率测量结果显示出一种异常现象。本文用缺陷化学的理论,在施主、受主掺杂 BaTiO_3室温电阻率和平衡电导率测置的实验基础上,对受主杂质的异常作用提出了解释。在高施主掺杂 BaTiO_3陶瓷中,由单电离施主(F~(?))与单电离或双电离钡缺位(V′_(Ba)、V″_(Ba))之间的缔合形成了大量的复合缺陷。复合缺陷的浓度随受主杂质的引入而下降,这是引起上述异常现象的根源。在单一点缺陷模型中引入复合缺陷后,可使施、受主杂质对电导率异常影响的解释统一于一个理论模型中,从而使有关 PTC 效应的理论比过去获得更广泛的实验现象的验证。     

液晶测试信号源的设计与实现

根据目前TFT模块的生产现状和需求,依据TFT模块的驱动和测试原理,以及TFT模块的线缺陷和点缺陷的产生原因,设计并实现了一种由MCU、CPLD和模拟多路开关组成的简易测试信号源,该信号源可提供Gate Odd,Gate Even,Data,Vgg和Vcom5路信号,此5路信号无论在频率、占空比、幅值还是延时上都满足对4·6cm(1.8in),128×160像素液晶模块的线缺陷和点缺陷的测试要求,且测试效果良好。     

ZnO薄膜的缺陷研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有许多优异的性能，可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备，Vo可能导致ZnO薄膜产生绿光；线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心，影响薄膜器件性能；层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件，必须研究ZnO薄膜的缺陷特性，文章对此进行了详细阐述．