MT/MPO光纤连接器的新发展(续)

本文介绍近年来为了适应高速和大容量光纤通信系统中高密度和高效率的互连布线的需要 ,日本住友和藤仓两家公司在 MT/MPO光纤连接器方面所进行的研究开发工作。研究重点在这些连接器中的关键部件MT套筒的改进。采用了注塑成形的 PPS新材料来制造套筒 ,以取得超低而稳定的介入损耗 ;提出了在连接端面附近的导引孔周围打倒角 ,以改善反复接插的耐久性。引入了最大达 16芯的单维 MT连接器和最大达 6 0芯的 2 -维阵列 MT连接器 ,以代替用多个 12芯 MT套筒的大芯数连接器 ,显著增加了光纤密度。开发了 2 -维阵列 MT连接器用的 2 4芯扁光纤带光缆代替圆光缆。文章介绍了这些新开发的产品的光学、机械和环境等方面的各项性能     

挤压成形半固态ZA27合金组织的SEM分析

为了有效地解决铸造锌铝合金ZA27的宏观偏析问题，采用半固态成形的手段对ZA27合金进行挤压处理，可以得到不产生Zn宏观偏析的ZA27合金组织。本文运用扫描电子显微镜(SEM)分析、研究了挤压成形半固态ZA27合金的组织形貌。     

热声制冷机及其改进实验研究

热声制冷作为一种很有前途的制冷方法，在国内外相关领域引起了极大兴趣。热声制冷机由声发生器、共振管、板叠及高、低温换热器等部分组成。对声驱动器的振动膜及其冷却系统、气体弹簧系统、高、低温换热器进行了初步改进，使制冷机冷端温降从原来的12℃提高到27℃左右，这是目前国内报道的最大温降。     

L波段80kW全固态发射机关键技术

结合某雷达80kW全固态发射机的研制，介绍了射频系统安排、热设计、电磁兼容、盲配结构四个方面的设计改进，给出了一些实验数据。通过分析比较，指出这四个方面是影响全固态发射机性能指标的关键技术。     

螺杆泵定子注胶模具的改进设计

1．螺杆泵定子注胶模具改进的必要性 定子是井下单螺杆抽油泵最关键的部件，它的质量好坏直接影响整台泵的效率和使用寿命。在螺杆泵试制过程中，曾经遇到定、转子线形啮合很好，且定、转子配合过盈也很理想，但整体泵没有形成一个完整的密封腔，且泵的启动扭矩较大、容积效率却较低的现象。     

淡BTV新闻直播演播室的系统改造

由于北京电视台新闻直播演播室的许多设备老化，且原设计采取的应急处理方式在主要设备出现单点故障后不能实现视音频信号的无缝切换，影响到了直播的安全性。根据新闻直播的技术流程，按照安全第一、高效运行，技术先进，操作灵活的原则，我们对承担新闻直播任务的演播室进行了一系列的技术改造，采用了主备路播出信号互为备份及主要视音频设备双机热备份的技改方案；同时使用主备视频服务器代替传统录像机进行新闻节目素材上载和播放等一系列的技术改造，在最大程度地避免技术设备单点故障所带来的技术隐患。此技术构架经过实践证明，有一定的实效性和推广价值。     

井下乳化/水热催化裂解复合降黏开采稠油技术研究

实验考察了胜利孤东稠油井下催化水热裂解和乳化/催化水热裂解降黏效果。所用催化剂为水溶性铁镍钒体系,Fe3+∶Ni2+∶VO4+=5∶1∶1,100 g稠油与30 g 0.5%催化剂水溶液在240℃反应24小时。原始黏度(50℃)11.0和8.36 Pa.s的两种稠油裂解并静置除水后,黏度降低76.2%和75.6%,室温放置60天后降黏率下降小于3个百分点,气相色谱显示裂解后轻组分明显增加,红外光谱显示稠油组分发生脱羧反应且芳环数减少。讨论了稠油催化水热裂解反应机理。所用化学助剂JN-A在油水中均可溶,耐温达250℃,耐矿化度达50 g/L,其水溶液以30∶100的质量比与稠油混合时形成低黏度的O/W乳状液。当水相含1.0%JN-A和0.5%催化剂时,两种稠油水热裂解后的反应混合物为O/W乳状液,黏度仅为319和309 mPa.s,静置除水后的稠油降黏率增加到86.5%和87.3%,其中的轻组分含量进一步增加。该井下乳化/催化水热裂解复合降黏法成功地用于孤东两口蒸汽吞吐井,稠油井作业后初期采出的原油黏度由~9 Pa.s降低到1 Pa.s左右,随采油时间延长而逐渐升高,约50天后超过4Pa.s。图2表6参5。     

结合功率控制的时-空多用户检测器

针对CDMA系统中抗干扰技术,提出一种结合多用户检测、波束成形和功率控制的算法,对接收信号在时域和空间上进行联合处理,能大大抑制干扰,提高系统容量。     

GaAs和（Cs，O）／GaAs热处理工艺的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs，O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是：首先，As氧化为低价态，然后Ga被氧化，再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中，表面Ga没有被氧化，就可在较低的温度热净化，获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高，则(Cs，O)激活后形成氧化物越多，从而形成了界面势垒，使电子逸出概率降低。