基于改进等效电容模型的数字微流控液滴定位反馈系统

基于介电润湿(EWOD)效应的数字微流控技术是近十年来出现的一种能够在平面上操控体积为微升、纳升级别液滴的新技术。为了满足对数字微流控中液滴精准驱动与控制的迫切需求,结合现有的液滴定位方法的研究,设计了改进的等效电容模型,该模型方法在无输入参数下实现多液滴的定位。基于该液滴定位模型,提出了驱动参数的反馈优先级调整策略,最终实现了一套具备驱动、定位及反馈一体的数字微流控控制系统。实验结果表明提出的方案有利于提高微液滴的连续输运的成功率,在同样的芯片参数结构下,成功率提高了接近40%,对数字微流控系统进一步的应用研究具有一定指导意义。     

电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究

铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。     

电压检测芯片失效分析

近年来,随着智能电表的广泛使用,其质量和可靠性问题受到了人们越来越多的关注.但是,由于各种原因,产品投入市场后仍会出现各种失效现象.因此,对某智能电表的电压检测芯片的失效现象进行了分析,通过外观检查、 电参数测试和X-射线测试等手段找到了该芯片的失效原因,并针对发现的问题提出了相应的改进意见.     

用于酵母细胞电阻抗检测的集成微电极阵列微流控芯片的有限元仿真研究

出芽酵母已经成为衰老、寿命研究的理想细胞模型。我们提出了一种集成微电极阵列微流控芯片的设计结构,该芯片结构具有阵列排布式捕获-剪切结构及与之对应的微电极阵列,用于对被捕获酵母单细胞进行高通量电阻抗检测,尤其是利用电阻抗信号检测酵母细胞每一个子细胞的剪切去除事件。在本文中,我们对该设计结构进行了有限元建模仿真研究,以优化用于电阻抗检测的集成微电极阵列的关键参数设置。通过有限元建模和仿真计算,我们分析了待测响应电流分布以及不同行列间距下邻近细胞对待测信号的影响。为了在减小邻近细胞的存在对待测信号干扰的同时,实现酵母子细胞剪切去除事件的高灵敏度电阻抗检测,我们依据仿真结果优化出微电极阵列的行列间距分别为125 μm、100 μm。本研究中的仿真分析结果对于优化集成微电极阵列微流控芯片的设计,提升电阻抗单细胞传感检测的灵敏度和集成度具有重要意义,我们提出的设计结构有望发展为基于电阻抗谱的高通量酵母复制衰老寿命监测平台。     

音频功率放大器的主要问题

《高性能音频功率放大器》一书于今年3月出版,本书介绍了模拟电路、声学、热学和音乐等技术知识。根据作者数十年的专业经验,讲解了高端高保真音响、专业功率放大器在录音棚里的运用。 本期我们节选该书第1章中关于音频功率放大器基础知识方面的内容．从这部分内容我们可以看出,作者是从电声学的基础知识入手阐述高保真音频功率放大器设计理念的。     

谐波电流与谐波阻抗的估算——工业与建筑电气系统谐波问题之二

本文介绍了电气设备发射的谐波电流大小以及与设备的哪些参数有关和如何估算大小，指明了近代出现电压型谐波源的谐波量更大，比较分析了单相负载中有不同的谐波源时，如何估算中性线电流IN的大小，简单介绍了谐波阻抗计算的难点所在。     

2006年国内主要开关市场

开关是电接插元件中的一大类产品，是构成整机电路系统电气连接必不可少的基础元件之一，已成为我国信息产业基础元件中不可或缺的新颖门类产品。     

高精度可调频调相的正弦信号源

文章介绍了一种应用于电度表校表系统中的高精度的可调频调相正弦信号源的实现方法。以单片机作为控制器件 ,利用大规模可编程逻辑器件设计大部分的外围电路 ,采用EPROM存储数据 ,最终通过D/A转换器实现两路正弦波形的输出 ,达到校表系统对频率和相位的调节精度的要求     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.