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铜的表面含硅渗层的结构与性能 总被引：7，自引：1，他引：6
本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铅铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅定 新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善２铜的表面摩擦磨损，冲蚀磨损及耐高温腐蚀等表面性能。 相似文献
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本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。 相似文献
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本文论述了以白云石为原料,直接冶炼稀土硅镁合金进行的一系列研究。通过实践,寻求到一种合理且操作简易的新工艺,从而解决了目前稀土硅镁合金生产中存在的问题。 相似文献
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以四甲基硅烷(TMS)为原料,经氯磺酰化和氨化反应合成了三甲基硅甲烷磺酰胺(TMSMSA)。氯磺酰化反应的产率为53%,氨化反应的产率为33%。m.p.、IR、HNMR 的测定数据表明产物为标题化合物。 相似文献
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一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。 相似文献