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131.
在高溅射功率900W下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的e-Ti-N薄膜。结果表明:当膜成分(原子分数,%,下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α′和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最高可达2.38T;而矫顽力Hc下降为89A/m,可以满足针对1.55Gb/cm^2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要,N原子进入α-Fe使α′具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α′→α γ′的分解,稳定了强铁磁性相α′,是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因。由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度Hc^D与晶粒度D有以下关系:Hc^D∝D^6,晶粒度控制非常重要。N原子进入α-Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化。提高溅射功率也使晶粒度下降。两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降。晶界是择优沉淀地点,在α′晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α′不能长大。薄膜的结构和Hc的稳定温度不低于520℃。 相似文献
132.
《金属功能材料》2003,10(4):42-42
电源微型化就必须向高频化发展 ,但是高频化又导致电感交流损耗、半导体开关元件损耗增大 ,为此应寻求最佳的频率 ,众所周知降压电源最佳工作频率 fs =V02I01-V0 /VpL ,式中 fs-开关频率 ,L-电感值 ,Vp -输入电压 ,V0 、I0 分别为输出电压和电流 ,实际上电源整体的高效率与微型化是矛盾的 ,在低开关频率下要使半导体及电感损失降低 ,就必须确保高效率、高电感及良好的直流叠加特性。为此NEC技术开发部的管原英州等开发出薄膜磁心 ,在 12 5~ 2 5 μm厚的聚酰亚胺基板上溅射生成膜 ,在其积层体螺旋状绕上导线构成数 10 0 μm厚的磁心 ,… 相似文献
134.
136.
137.
用4种不同的粘结剂对经横向磁场处理后3种规格Φ14×19×6.5、Φ14×20×10、Φ14×18×20(mm)超微晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9进行表面涂层,用直流磁特性测量仪分别测量了涂层前后铁芯样品的磁滞回线。发现经涂层后B10有不同程度的降低,而Br和Hc对不同规格铁芯、不同粘结剂有不同的变化。这可由磁场感生各向异性和磁弹性耦合局域各向异性综合决定来解释。经比较发现,第Ⅳ种粘结剂综合磁性能最佳。 相似文献
138.
139.
140.
卡尺尺框量爪量面在测量时与工件相接触.要求在一定深度内具有稳定均匀的高硬度。原处理工艺是将卡尺尺框外量爪放人缝式感应器中加热,每次只处理1件,加热时间为5s~7s。由于加热时它的两个侧面温度较高,而量面中心温度有时较低,导致量面中心的淬硬层浅并伴有软点产生。 相似文献