退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响

首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明导电膜.研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响.经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2·V-1·s-1.薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%.薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性.     

回旋管磁控注入电子枪的设计

以磁控注入电子枪的绝热压缩理论和角动量守恒关系为基础,编写了磁控注入电子枪的计算程序MGUN,利用该程序完成了一个输出功率为56 kW的W波段二次谐波回旋振荡管磁控注入电子枪的初步设计,利用EGUN对该磁控枪进行了研究,分析了空间电荷效应、双阳极间距、调制极电压、阴极的倾角及阴极磁场强度等因素对电子注性能的影响并对磁控枪进行了优化,结果显示:当电子注的加速电压为36 kV、工作电流为4 A时,电子注的横纵速度比α=1.5,横向速度离散Δv⊥/v⊥=2.4%。另外,文章还利用粒子模拟软件对EGUN的结果进行了验证,两种方法所得结果基本一致。     

不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.     

蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜.并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能等进行了研究.实验结果表明,沉积薄膜中Si和N的比接近3∶4,形成了Si3N4化合物,呈非晶态结构.制备的Si3N4薄膜的硬度明显高于蓝宝石衬底的硬度,且与蓝宝石衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.     

直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。     

磁控摆动电弧MIG焊建模仿真系统

进行了将磁控电弧技术应用于焊缝跟踪的研究.针对磁控摆动电弧自身的特点,在建立数学模型的基础上,利用Simulink结合编写的相关M文件建立了系统的MATLAB仿真模型;通过编写相关对象回调函数设计了仿真系统对应的图形用户界面(GUI),使用户的操作形象生动,且方便灵活;最后对相关参数的影响规律进行了仿真分析.为磁控电弧传感器的设计和建立磁控摆动电弧焊缝自动跟踪系统提供理论依据.     

四声闪光磁控报警器

当有“不速之客”撬开了你的门,如果一款电子作品能及时闪光报警来提醒家人,则可防止家庭财产丢失,那该多实用。把制作好的主机（见图1）固定在门框上,磁铁粘贴在门上,调整好它们之间的间隙,使门关上状态不报警,门打开后立刻闪光报警。本制作具有电路简洁、制作成功率高、元气件易购买、实用性强等特点。适合广大电子爱好者安装使用,也可以作为电子类学校实训制作。     

快速响应磁控电抗器抑制特高压操作过电压研究

针对高电压等级电网的过电压限制与无功补偿存在矛盾的问题,提出了一种大容量并具有快速响应能力的磁控电抗器的设计方案.磁控电抗器的本体采用单相双绕组结构,保证了运行可靠性;接入电网的三相电抗器组的工作绕组以星形联结,中性点接小电抗,控制绕组为三角形联结以减小输出谐波;通过对低压控制回路直流电压的调节实现对电抗器输出容量的控制.提出2种励磁方式实现了磁控电抗器响应速度的大幅提高;也可采用控制绕组短接的方法实现电抗器容量的突增,以限制线路的操作过电压水平.应用一条1000 kV特高压线路模型,对采用常规并联高压电抗器和磁控高压电抗器时对三相对称合闸过电压的限制效果进行了计算分析,结果表明应用快速响应磁控电抗器可以对特高压线路操作过电压进行有效限制.     

新型高压磁控电抗器的电压/无功控制效果分析

某220 kV变电站采用高压磁控电抗器取得了电压/无功控制的良好效果.介绍了该变电站采用高压磁控电抗器来解决中压侧母线电压波动大这一问题的理由,提出了采取的电压/无功控制策略.实测数据分析说明了电压/无功控制的效果.     

氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。