SVC在我国电网中的应用及前景

1 SVC在我国电网中的应用 近20年来,由于电力电子技术的发展,SVC(Staic VarCapactor)成为专指晶闸管控制的电抗器(Thyristor ControlledReactor-TCR)和晶闸管投切电容器(Thyristor SwitchedCapactor-TSC),以及两者的混合装置(TCR+TSC),或者TCR与固定电容器(Fixed Capactor-FC)或机械投切电容器(Mechanically Switched Capactor-MSC)混合使用的装置(TCR+FC、TCR+MSC)等。     

射频溅射—热处理法研制SnO2薄膜

本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究

氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.     

直流辉光和磁控增强放电等离子体的空间分辨发射光谱技术

光学发射光谱(OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一,可以定量地给出等离子体的多种重要参数,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等.本文介绍了一种用于电子回旋共振(ECR)微波等离子体磁控溅射靶附近的增强放电和直流辉光放电等离子体空间分辨诊断的发射光谱装置.其特点是光学收集系统的位置可以水平精细移动,因而可以对放电区域进行空间分辨发射光谱测量.作者利用这套装置对氩气的ECR微波等离子体和直流辉光放电等离子体进行诊断.在ECR微波等离子体的下游区内氩离子谱线的发射强度很弱,主要是高激发态原子的辐射.在磁共振增强放电区,离子谱线强度有所增加但仍比原子谱线弱,类似于直流辉光放电正柱区的光发射特性.     

干簧管磁控开关的应用

漏筒式水银开关和浮筒式水银开关常用于机床设备机械传动链和系统润滑或液压系统中有联琐关系的控制装置上,特别是在国产磨床和滚齿机床上应用较多。当机床的主轴旋转或工作台进给传动电机启动前,须先开启润滑系统或液压系统电机泵油,待系统满足润滑或液压条件后,高位回油管对漏筒放油,随动漏筒内油量的不断增加,平衡杆便向漏筒一侧开始倾斜,而对浮筒开关而言,高位回油管对高位油池放油,随着油面的不断上升,浮筒或乒乓球也上升至要     

Fabrication and Characterization of Undoped and Cobalt-doped ZnO Based UV Photodetector Prepared by RF-sputtering

Undoped and 1 at.% Co-doped ZnO nanostructure based UV photodetectors were successfully fabricated by RF- magnetron sputtering technique with comb like Pt electrodes. Cobalt ions were successfully incorporated into the lattice of the ZnO nanostructure without changing its wurtzite structure. It was indicated that Co-doping can effectively adjust the luminescence properties of the ZnO nanostructure. The undoped and Co-doped ZnO photodetectors were observed to have photosensitivities of 1.44 x 104 % and 8.57 x 102 % and low dark currents of 9.74 x 10-8 A and 1.18 x 10-7 A, respectively.     

井下QBZ-80型磁力启动器自动排水功能改造

利用QBZ-80型磁力启动器自身控制原理,同时增加高低水位磁控传感器,重新设计控制方式,在不改变其防爆性能的前提下实现井下积水的自动抽排,改变了当下抽水时需要专人看护的现状。     

应用于工具镀膜的磁场辅助离子镀弧源及其放电特性分析

针对几种应用于工具镀膜的磁场控制的电弧离子镀弧源,分析了其结构、工作原理以及弧斑运动、放电特性;比较了不同磁场辅助受控弧源的靶结构及磁场位形,并讨论了对弧斑运动、放电及镀膜工艺的影响;对磁场控制的电弧离子镀弧源的发展进行了展望。     

基于MP-NBFE法的磁控电弧焊缝跟踪的信号提取

针对磁控电弧焊缝跟踪信号非线性不平稳等特点,提出了一种基于匹配追踪和非参数基函数相结合的磁控电弧焊缝跟踪特征信号提取方法(MP_NBFE);在匹配追踪的每一次迭代中,首先自适应调整模板信号,使其逼近原始跟踪信号中的某一特征成分,然后用非参数基函数特征波形提取方法计算出与该模板信号最匹配的信号特征成分的最优估计;其次,依照匹配追踪的原理,用最优估计值去更新信号余量,在新的信号余量中继续寻找计算其他特征成分的最好估计.重复执行该过程,直到信号余量的能量小于预先设定的阈值.通过自行研制的磁控电弧传感器焊缝跟踪平台上的特征信号提取试验验证,结果表明,该方法提取的V形坡口扫描信号与V形坡口扫描的仿真信号变化趋势相同,可准确反映焊缝偏差信息.     

光激化学发光免疫检测探针材料的设计与制备

光激化学发光免疫检测具有无背景荧光干扰、均相免洗的优势,在体外诊断快速检测领域中具有重要的应用前景。然而,该检测技术所用探针材料的稳定可控制备仍是该技术产业化应用的主要难点之一。采用PVP调控的共聚法,制备的负载铕螯合物Eu(DBM)₃Phen和硫氧杂环己烯衍生物PCU的聚苯乙烯纳米球作为受体球。采用介孔二氧化硅包覆,制备的负载光敏剂Ce6的Fe₃O₄@mSiO₂纳米球作为磁控驱动的供体球。利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能谱仪等手段对受体球和磁控供体球进行表征。结果表明：受体球呈规则球形且尺寸均一,平均粒径约为200 nm,易分散于水,能与单线态氧作用而发光,最大发射波长约为615 nm;磁控供体球呈球形核壳结构,平均粒径约为700 nm,易分散于水中,在波长680 nm光照下能产生单线态氧,可用磁铁分离。分别用兔IgG和羊抗兔IgG修饰磁控供体球和受体球,结果显示两者之间能发生有效的特异性结合,用磁铁分离去除非特异性结合的探针球后,成功测得光激化学发光信号,证明了两种探针材料的成功制备。