射频磁控溅射法制备NiAl纳米晶化合物涂层

介绍一种利用射频磁控溅射法和一个由纯Ni和纯Al合成的特制靶材制备NiAl纳米晶涂层的新工艺 ,涂层可沉积在工业纯铝、不锈钢以及硼硅酸盐玻璃等多种基体上。XRD、TEM和SAED分析表明 ,该涂层呈规则的立方晶体结构 ,晶粒尺寸 <10nm ,且沉积在硼硅酸盐玻璃上的涂层具有 (111)择尤取向 ,涂层厚度约 10 μm。     

磁控大电流MAG焊的磁头优化及应用研究

从增强工程实用性、磁控效果、冷却效果和气体保护效果等角度出发,设计了两种新型的磁场发生装置,并进行了磁控大电流MAG平板堆焊和角焊缝焊接工艺试验.试验结果表明,采用所设计的磁场发生装置进行焊接时,焊接飞溅很小,焊缝成形良好,明显优于采用空心线圈作为磁控器件的焊接效果.     

双级饱和磁控SVC补偿电铁牵引不平衡负荷的研究

由于电气化铁路运行的不对称性,会产生快速波动的负序电流,并流入电力系统各处,对系统发电、供电设备产生严重的不良影响.首先分析了目前负序电流的抑制方法、存在问题,并提出采用磁控SVC,即双级饱和磁控电抗器与固定电容器并联,进行无功、负序综合治理,并通过仿真对其可行性进行了验证.     

MSM原理及其在直线驱动器上的应用

磁控形状记忆合金（MSM）是一种新型功能材料，具有形变量大和机电能量转换效率高的特点。该文首先介绍了MSM在磁场作用下的形变机理，并测得在0．4T的磁场下其自由形变率可达3．6％。然后分析利用仿生学蠕动原理将MSM小步距的位移累加形成直线驱动器所需要的大行程的工作原理，设计出了MSM直线驱动器及其控制系统，最后给出了样机的实验结果。     

硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

H62/Cu同基合金磁控电弧离子镀镀层显微组织

用扫描电子显微镜和能谱仪对H62/Cu同基合金磁控电弧离子镀镀层进行了研究.结果表明,电弧离子镀电流对镀层晶粒尺寸有较大影响,弧电流较小时镀层晶粒较细,而弧电流较大时镀层的晶粒粗大.镀层主要由3部分组成:过渡层(伪扩散层 真扩散层)、细晶层和蘑菇状晶粒层.镀层中铜、锌元素分布不均匀,造成这种现象的原因与铜、锌的熔点及其离子的电离能有关.     

SiO_x∶Er薄膜材料光致发光特性的研究

采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx∶Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光。研究了退火温度和时间对SiOx∶Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件。采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV。对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx∶Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨。     

倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.     

衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响

采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响.结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%.