双级饱和磁控SVC补偿电铁牵引不平衡负荷的研究

由于电气化铁路运行的不对称性,会产生快速波动的负序电流,并流入电力系统各处,对系统发电、供电设备产生严重的不良影响.首先分析了目前负序电流的抑制方法、存在问题,并提出采用磁控SVC,即双级饱和磁控电抗器与固定电容器并联,进行无功、负序综合治理,并通过仿真对其可行性进行了验证.     

OMOM磁控胶囊胃镜的临床应用研究

为探讨OMOM磁控胶囊胃镜系统对胃的诊断价值,文章回顾性分析了2010年04月—2019年06月在合肥阳光消化病医院消化内科进行OMOM磁控胶囊胃镜及胃镜检查的98例患者的临床资料,检查完毕后,记录胶囊内镜对消化系统如食道、胃检查中的病变检出率及所发现病灶的类型,比较磁控胶囊胃镜与胃镜检查的一致性。结果显示:98例患者共发现病变71例,磁控胶囊胃镜与胃镜检查结果的符合率为72.5%(71/98),磁控胶囊胃镜对于食管病变的检查符合率为47.7%(21/44),胃部病变的检查符合率为92.6%(50/54)。由此可知,OMOM磁控胶囊胃镜检查安全、有效,患者检测依从性高,有助于提高对胃部疾病的诊断率。     

倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响

采用倒筒式射频溅射方法,在Pt、Ti/SiO2/Si基片上制备了Ba0.65Sr0.35TiO3(简称BST)薄膜.研究了自偏压对BST薄膜结构及电学性能的影响.在较高自偏压下制备的BST薄膜具有高度的(100)择优取向,且结晶性好,表面平整,耐压能力强.在25℃时薄膜的热释电系数高达6.73×10-7C.cM-2.K-7.研究结果表明,利用倒筒式射频溅射方法适当提高自偏压,可以制备出热释电性能优良的BST薄膜.     

基于Modbus RTU协议的磁控电抗器远程监控系统

近年来风电、光伏发电的发展及智能电网的提出,为磁控电抗器的发展带来了机遇。文中主要研究Modbus RTU协议在变电站综合自动化系统中的磁控电抗器(MCR)远程监控系统的有效实现。首先阐明Modbus RTU的技术要点,然后介绍控制系统的硬件构成,接着结合MCR的功能特点设计后台软件,最后根据试验结果验证监控系统的可靠性。试验结果表明,该控制系统安全、可靠、人性化、实时性好。     

界牌岭站10kV供配电系统谐波的治理

自220kV界牌岭站投入运行以来,站内故障录波器频繁启动报警,应急灯经常烧毁,10kV馈线用户的开关多次误跳闸。通过电能质量检测发现该站的二高线馈线产生大量的高次谐波,因此采取措施对二高线的滤波系统进行升级改造,最终消除了谐波,收到了良好的经济效益。     

磁控溅射法La0.5Ca0.5MnxTi1-xO3薄膜的制备与结构研究

利用射频磁控溅射法结合后期热处理，在Si（100）基板上以不同的工艺条件成功制备了La0.5Ca
0.5MnxTi1-xO3（LCMTO）复铁电性磁电子薄膜.通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、电子衍射
能谱（EDS）等手段对薄膜进行了相的形成、结构特性及薄膜组成等的测试.研究表明，薄膜在600℃以上
开始析晶，850℃以上结晶完成,形成正交晶系钙钛矿相.硅基板上的LCMTO薄膜在不同温度下析出晶相的晶
格常数不同，温度越高，晶相的晶格常数越大；薄膜厚度越大，晶格常数相对较小;在薄膜制备时提高氧
分压，形成氧空位浓度低的完整晶相， Si基板上LCMTO薄膜的晶格常数相对较小.     

用于高温压力传感器的AIN绝缘膜的研究

采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AIN薄膜。用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析，研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性，分析了AIN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系。选用AIN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离，由于无p-n结，力敏电阻无反向漏电，得到了极好的压力传感器特性，即零点电漂移及热漂移小及非线性小。     

磁控软起动

磁控软起动是从电抗器软起动衍生出来的,用三相电抗器串在电动机定子实现降压是两者的共同点。磁饱和软起动不同于电抗器软起动的主要点是其限流作用可控。     

反应磁控溅射沉积ITO膜的X射线衍射结构分析

本文报道了对反应磁近溅射技术沉积的ＩＴＯ透明导电膜进行Ｘ射线衍射结构分析的结果，给出了不同条件下ＩＴＯ膜的晶态结构和它与各种成膜工艺条件之间的关系。     

溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.