关于镍薄膜热电阻研制的几个问题

就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨，实验结果表明：可以选用国产0号镍，采用S－枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻；合适的热处理工艺是保证电阻温度系数α值及其一致性的关键；运用保护膜技术可以提高镍薄膜热电阻温度传感器的长期稳定性。     

溅射时氧分压对LaNiO3-x薄膜性能的影响

在较低的衬底温度(260 0C)和不同氧分压下,采用射频溅射在(111)Si衬底上制备出了具有(100)择优取向的 LaNiO3薄膜. SEM分析表明薄膜具有光滑连续的表面和均匀的晶粒尺寸. I-V特性表明薄膜均具有金属导电性,且随着氧分压的增加,电阻率逐步降低并达到一个稳定值 10Ω@μ m.实验结果同时表明,随着氧含量的增加,Ni、 La含量比单调增大,并且当溅射气氛中的氧气分压在 20%～30%范围时,Ni、 La含量比为 1:1而且比较稳定.当氧气分压为30%时,薄膜的晶面间距达到最小值.制备 LaNiO3薄膜的最佳氧气分压应该控制在 30%左右.     

世界首套500kV磁控式可控并联电抗器进入试运行

2007年9月29日，世界首套500kV磁控式可控并联电抗器一江陵站可控高抗技术顺利结束其调试工作，并与右荆（峡江）Ⅱ回线路同时进入24小时试运行。     

基于模糊神经网络控制的磁控电抗器的应用分析

本文详细介绍了基于模糊神经网络控制的磁控电抗器本体及控制系统的结构原理、工作模式。通过仿真分析及实验平台模拟判断该电抗器在电力系统中的应用性能,并采取实物挂网方式验证了该电抗器的使用效果,通过仿真及设备试运行可得出该电抗器在实现无功补偿的连续可调,在更加精准快速地实现系统电压及无功控制方面更具优势。     

Ti2AlNb合金表面射频溅射Al/Al2O3复合层的抗热震性能

为进一步提高Ti₂AlNb合金的抗高温氧化性能,在其表面射频溅射Al/Al₂O₃复合层,并于650℃下进行了抗热震性能研究,采用扫描电镜及能谱仪观察复合层形貌并分析其成分。结果表明:Al/Al₂O₃复合层平整致密,无贯穿裂纹,复合层中Al₂O₃层厚约1μm,Al层厚约14μm;热震循环50次时复合层表面出现了微小裂纹,随着热震循环次数增加,裂纹不断扩展,表层Al₂O₃颗粒增大;Al/Al₂O₃复合层能有效提高Ti₂AlNb合金的抗热震性能。     

金刚石自支撑膜衬底制备AlN薄膜的性能

采用射频磁控反应溅射法在金刚石自支撑膜衬底上沉积了AlN薄膜,XRD结果表明得到了（002）面择优取向的AlN薄膜;AFM的表面形貌结果显示薄膜表面平整,晶粒均匀,表面粗糙度为2.97 nm。XPS分析结果表明,离子剥蚀2.1 nm后Al/N原子百分比接近于1∶1;结合红外透过曲线和纳米力学探针测试,表明AlN薄膜在1500～800 cm-1波段对金刚石膜有约14%的增透作用,其平均硬度为21.5 GPa,平均弹性模量为233.3 GPa。     

中核集团公司成功研制磁控法拉第筒

近日,磁控法拉弟筒由中核集团原子能院核物理研究所研制成功并投入使用。法拉第筒是束流测量的专用设备,广泛应用于加速器等领域。在高真空瞬间冲击力下,法拉第筒波纹很易损坏。更换法拉第筒波纹管不仅繁琐需要花费大量时间,而且检修人员要遭受很大放射性剂量照射。     

大容量输电长线可控无功补偿研究

在介绍了高电压输电对电网的影响,建立了远距离输电线路模型的基础上,提出采用可控电抗器来补偿线路无功,电抗器容量可随负荷变化动态调节,以达到无功平衡。最后用MATLAB软件对补偿效果进行仿真,仿真结果证实了采用可控电抗器可以很好调节线路无功,提高电网电能质量。     

国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

CdIn2O4薄膜的AES分析

利用ＡＥＳ方法研究了ＣｄＩｎ２Ｏ４膜的成分分布。膜中的Ｃｄ、Ｉｎ和Ｏ成份随Ｏ浓度的变化而变化，并对膜的电学性质有重要影响。