稀土元素钇对纳米级W-Ni-Fe复合粉末制备的影响

以喷雾干燥法制备的（W，Ni，Fe)复合氧化物粉末为原料，采用700℃，保温90min的条件进行还原；研究了不同稀土Y含量对还原制备纳粹级W-Ni-Fe复合粉末性能的影响；采用XRD及高倍SEM分别对所制备的复合粉末进行了物相分析、晶粒尺寸测试和形貌观察；并对的制得复合粉末的Fsss粒度、比表面进行了测定与分析。结果表明：不加稀土Y时还原粉末由W和7-（Ni，Fe)两相组成，添加一定量稀土Y的还原粉末有W，7-（Ni，Fe)和Y（Ni0.75W0.25)O3三相组成；当Y的质量分数在0%-0.8%范围内（占90W-Ni-3Fe复合粉末的质量分数），随着Y含量的增高，粉末dBET粒度由96.6nm降到45.2nm，粉末Fsss粒度由0.64μm降到0.28μm，粉末晶粒尺寸由26.1nm降到19.8nm；未添加稀土Y时粉末颗粒为球形，添加一定量的稀土Y，粉末颗粒变为近球形或多面体；添加一定量的稀土Y不仅可以有效地掏晶粒的长大，还可以在一定程度上提高粉末的分散性。     

Zr65Al7.5Ni10Cu17.5和Zr65Al10Ni10Cu15合金的非晶和晶态薄带吸氢行为研究

研究两种不同成分具有较大过冷液相区的四元合金Zr65Al7.5Ni10Cu17.5和Zr65Al10Ni10Cu15，非晶和晶态薄带吸氢行为，结果表qt两种薄带的吸氢量均随着温度的升高而增大，非晶薄带的吸氢量要小于同等条件下的晶态薄带的吸氢量且只有在673K吸氢后形成了氢化物，Zr65Al7.5Ni10Cu17.5非晶和晶态薄带吸氢后分别生成了Zr2NiH4.7和ZrH2；而Zr65Al10Ni10Cu15非晶和晶态两种薄带最后生成的氢化物同为ZrH2。     

55Q轻轨断裂分析

55Q轻轨在使用前由于受到机械加工力而断裂，进行了化学成分，显微组织、夹杂物和低倍检验分析。结果表明，其发生断裂的主要原因是存在较多的小发纹（白点），加之较严重网状组织、夹杂物、晶粒粗大和边部脱碳组织，在机械加工力的共同作用下，导致轻轨发生断裂。     

氢对锆基块体非晶合金热膨胀系数和有效原子作用势的影响

利用电弧熔炼及铜模快速铸造的方法制备Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5块状非晶合金,通过电化学方法向块状非晶中充入氢,结果表明,氢提高玻璃转变温度下的线膨胀系数,降低晶化开始温度处的线膨胀系数,延缓玻璃转变前结构弛豫现象的发生,另外,充氢能够增加块体非晶合金材料的原子平均最近邻距离和有效作用势深度。     

PZT铁电陶瓷的氢致半导体化

研究了锆钛酸铅铁电陶瓷（PZT-5H）的氢致半导体化现象.结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑.即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体.高于Curie点充氢时,能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变,室温下铁电性消失.但室温电解充氢并不抑制相变.高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.     

10Ni14钢抗H2S应力腐蚀破裂性能研究初探

对10Ni14钢抗H2S应力腐蚀破裂（SSCC）性能进行了研究。结合现场的实际使用情况,证明10Ni14钢母材及其焊接接头无论是在室温还是在低温（＜－10℃）的湿H2S环境中都具有优良的抗SSCC性能。     

氮势控制技术及其应用

简要介绍了渗氮机理及氮势控制技术，并在GN70／120型井式渗氮炉内进行了可控渗氮试验。结果表明，采用HydroNit氢探头能精确测量和控制炉内氮势，有效降低渗层氮浓度，减少表面白视层厚度，满足高质量渗氮要求。     

氢对Ti-2Al-2.5Zr钛合金疲劳性能的影响

研究了4种含量的氢对Ti-2Al-2.5Zr钛合金疲劳性能的影响。结果表明，自然含氢量的材料具有最好的疲劳性能。而当疲劳载荷大于材料的屈服强度时，氢含量对疲劳寿命基本没有影响；低于屈服强度后，疲劳寿命随着氢含量的升高而和。认为固溶的原子氢导致驻留滑移带软化，裂纹萌生提前，造成在较大△σ时充氢试样的疲劳寿命降低；而材料中氢化物对驻留滑移带（PSB）的阻碍作用导致氢化物与基体分离 而成为裂纹源，是小△σ下疲劳寿命降低扩要原因。     

氢促进纯镍位错发射的分子动力学模拟及实验证明

采用 ＥＡＭ多体势的分子动力学模拟表明，Ｎｉ中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子ＫＩｅ（θ＝４５°）从 １．００ ＭＰａ·ｍ１／２降为 ０．９０ＭＰａｍ·１／２；使 ＫＩｅ（θ＝７０°）从 ０．８２ ＭＰａ＞·ｍ１／２降为 ０．７０ ＭＰａ·ｍ１／２，即氢能促进位错的发射 另外 氢能使（１１１）滑移面上的 Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子ＫＩＧ（θ＝０°）从 １．０３ ＭＰ·ａｍ１／２降为０．９３ ＭＰａ·ｍ１／２、即氢使(１１）面的表面能下降 γ１１１（Ｈ）＝０．８２θθγ１１１；从而促进位错的发射 透射电＃（ＴＥＭ）原位观察表明，在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动。