新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

热模锻压力机夹持器设计中的若干问题

本文介绍了19.6MN(2000吨）热模锻压力夹持器在设计，安装，调试中上，下座材料选用，上顶出器打块结构，定位柱，定位键，垫板等技术问题的处理，使所设计的夹持器具有良好的装配性能，较低的制造成本，较长的使用寿命和较主的对位精度。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。     

高速应用的薄膜MCM材料评述

信号频率在１００ＭＨｚ以上时，材料性质对薄膜多芯片组件（ＭＣＭ－Ｄ）的性能变得越来越重要。本文讨论高频下材料性质对ＭＣＭ－Ｄ的电性能的影响。着重讨论介电常数、介质损耗角正切、互连金属电阻和互连金属趋肤深度等对系统性能的影响。对常用的ＭＣＭ－Ｄ材料的这些性质作了比较。     

反应溅射法制备的软磁铁氮膜

用反应溅射法在Ａｒ＋Ｎ２混合气氛中制备了软磁性铁氮膜，并对样品进行了真空退火热处理。考察了制备条件和热处理对铁氮膜的微结构和软磁性能的影响。发现氮气的加入导致了晶粒尺寸减小和软磁性能改善，还能抑制热处理过程中的晶粒生长。     

核电材料在模拟反应堆环境中应力腐蚀破裂测试技术与性能评价

简要介绍了采用慢应变速率试验，Ｕ型弯曲和Ｃ形环试验等技术，分别对８００合金，３０４和３１６及３１６Ｔｉ不锈钢Ａ５３３Ｂ压力容器用多在模拟核反应堆环境中的应力腐蚀破裂敏感性性进行的试验研究的一些主要结果；并结合电化学测试和表面膜俄歇电子能谱分析结果进行了讨论。     

结晶高聚物硬弹性材料的研究进展：I.硬弹性材料的力学性能

硬弹性材料是近年发展起来的一种新型弹性体，它是一类结晶或非晶的高聚物在特定的条件下加工而成的材料，硬弹性材料的力学性能和形态结构明显不同于普通的弹性体，具有高弹性，高模量，突出的低温弹性和拉伸时能形成微孔等特性。本文主要介绍了这种材料的力学性能的各个方面，包括力学特征，拉伸特性，应力松弛和蠕变行为，力学损耗和滞后现象，溶剂浸润的影响以及断裂行为等。