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本文简述了圆柱冷却器在本钢5^#高炉的应用，并用运行数据说明其效果，可做为高炉维修的补救措施。 相似文献
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通过对 HL- 1M装置真空运行模式、真空运行参数、氦辉光放电清洗和硅化壁处理手段等的规范化 ,显著地改善了装置的真空壁出气、本底杂质浓度、托卡马克放电杂质出气比和再循环 ,成功地实现了高参数放电、长脉冲放电和装置暴露大气后快速恢复放电 ,并成功地为演证低混杂电流驱动、离子回旋共振加热、电子回旋共振加热、中性束注入、弹丸注入和分子束注入实验和升级等离子体运行等提供了良好的真空壁条件。描述了 HL- 1M装置真空系统、壁出气和再循环控制、质谱诊断和程序脉冲送气等方面的主要实验成果 ,并为 HL- 2 A装置的真空系统研制和运行提供了有益的参考 相似文献
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中厚壁轴承钢管壁厚精度的控制徐章华（大冶钢厂无缝钢管分厂）ＣｏｎｔｒｏｌｏｆＴｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆＢｅａｒｉｎｇＳｔｅｅｌＴｕｂｅｗｉｔｈＭｅｄｉｕｍ－ｔｈｉｃｋａｎｄＴｈｉｃｋＷａｌｌ￥ＸｕＺｈａｎｇｈｕａ（ＤａｙｅＳｔｅｅｌＷｏｒｋｓ）国内一些钢... 相似文献
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由于金属材料有热胀、冷缩的特性，当天平所处的环境温度变化时，横梁两臂的长度亦随之变化。如果天平两臂受热不均匀或单臂受热，两臂伸缩长度不一致，就会因横梁的不等臂性，出现误差，如图１。图１天平结构示意图设天平横梁质量为Ｗ，两臂长分别为Ｌ１、Ｌ２，线膨胀系... 相似文献
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隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。 相似文献
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热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨 总被引：1，自引：1，他引：0
程开富 《电子工业专用设备》1996,25(2):30-32
文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。 相似文献